Изучена физическая природа низкотемпературных прямых избыточных токов в диодах с барьером Шоттки. Для решения этой задачи исследованы обратимые и необратимые искажения ВАХ контактов Ni/Pd/GaAs, возникающие при 77 K под действием локального анизотропного давления. Изучена зависимость аномальных тензоэлектрических эффектов от величины нагрузки и диаметра индентора, обнаружен гистерезис при проведении нагрузочно-разгрузочных циклов. Выполнен расчет температурной зависимости ВАХ в рамках модели контакта, содержащего локальные участки с пониженной высотой барьера. На основе анализа экспериментальных данных и результатов расчета обсуждается механизм влияния механических напряжений на электрические характеристики и стабильность диодов с барьером Шоттки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.