"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние давления на электрофизические свойства Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе
Дубков В.П., Скипетров Е.П.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследовано влияние давления (P =< 16 кбар) на гальваномагнитные явления (4.2 =< T =< 300 К, B =< 7 Т) в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученном электронами (T~ 300 К, Е=6 МэВ, Phi =< 2· 1017см-2). Показано, что в диэлектрической фазе основной вклад в кинетические явления вносит проводимость по зоне локализованных состояний, индуцированной электронным облучением в запрещенной зоне сплава. Установлено, что положение локальной зоны относительно потолка валентной зоны L6- практически не зависит от давления. В рамках двухзонного приближения рассчитаны барические зависимости параметров носителей заряда в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученном электронами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.