Проведено совместное исследование электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов GaInSbAs с целью определения основных электрических параметров материала и энергетической структуры запрещенной зоны. Установлено, что специально не легированные твердые растворы в области составов 0.1 =< x =< 0.22 обладают дырочной проводимостью, при этом концентрация дырок уменьшается почти на порядок с увеличением x от 0 до ~=0.2. Показано, что доминирующую роль в дырочной проводимости играют мелкие примесные уровни с энергией активации E_A1=< 0.01 эВ. Выявлены двухзарядные акцепторы с энергиями активации E_A2=0.03-0.035 и E_A3=0.07 эВ, обусловленные природными структурными дефектами V_GaGa_Sb с концентрацией, на порядок меньшей, чем в p-GaSb. В твердых растворах в присутствии атомов теллура обнаружен глубокий структурный дефект с E_A4 =0.1 эВ, образованный, вероятно, вакансией галлия с теллуром (V_Ga-Te).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.