"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
Баранов А.Н., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Проведено совместное исследование электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов GaInSbAs с целью определения основных электрических параметров материала и энергетической структуры запрещенной зоны. Установлено, что специально не легированные твердые растворы в области составов 0.1 =< x =< 0.22 обладают дырочной проводимостью, при этом концентрация дырок уменьшается почти на порядок с увеличением x от 0 до ~=0.2. Показано, что доминирующую роль в дырочной проводимости играют мелкие примесные уровни с энергией активации EA1=< 0.01 эВ. Выявлены двухзарядные акцепторы с энергиями активации EA2=0.03-0.035 и EA3=0.07 эВ, обусловленные природными структурными дефектами VGaGaSb с концентрацией, на порядок меньшей, чем в p-GaSb. В твердых растворах в присутствии атомов теллура обнаружен глубокий структурный дефект с EA4 =0.1 эВ, образованный, вероятно, вакансией галлия с теллуром (VGa-Te).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.