"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
Банная В.Ф., Веселова Л.И., Гершензон Е.М., Гусинский Э.Н., Литвак-Горская Л.Б.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

На примере p-Si<B, Ga> с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D (Nк, N2) (Nк, N1 и N2 - концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2>> N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D (Nк, N1) в окрестностях минимума имеет "овражный" рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.