"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние обработки в водородной плазме на электрофизические свойства кремния, легированного фосфором
Бумай Ю.А., Ульяшин А.Г., Шакин И.А., Шлопак Н.В.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Исследовались изменения электрофизических свойств имплантированных и эпитаксиальных слоев кремния, легированных фосфором, в результате введения атомарного водорода. Установлено, что наиболее значительное снижение концентрации электрически активных центров фосфора в n-Si, сопровождающееся также увеличением подвижности электронов, происходит при гидрогенизации материала в температурном интервале 20-80oC. Полученный эффект связывается с образованием нейтральных комплексов донор-водород в результате кулоновского взаимодействия H- и P+.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.