"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Корреляция в поведении кислородных термодоноров и комплексов, ответственных за поглощение при 890 см-1, в Si, облученном в реакторе при разных температурах
Андреевский К.Н., Трахброт Б.М.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Приведены результаты исследования спектров ИК поглощения и электрофизических параметров в процессе изохронного (20 мин) отжига кристаллов Si, выращенных методом Чохральского ([Oi]=1.5·1018 см-3, [Cs]=2·1017 см-3), облученных в реакторе при температурах T1=100-135 и T2=500-570 K. Обнаружена корреляция между изменениями электронной проводимости, обусловленной кислородными термодонорами, и интенсивности полосы при 890 см-1, после отжига при 450oC одновременно достигающих максимума, значительно более высокого в Si, облученном при T2. Предполагается, что комплексом, ответственным за поглощение при 890 см-1, является метастабильный кластер Si3O2. Содержание кислород-углеродных комплексов, ответственных за поглощение при 920, 970, 1015 и 1060 см-1, в Si, облученном при T2, сохраняется более высоким, чем в кристаллах, облученных при T1, на протяжении всего процесса термоотжпга в исследованном методом ИК спектрометрии интервале температур 300-550oC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.