"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перестройка спектра излучения лазера на p-Ge при одноосной деформации
Демиховский С.В., Муравьев А.В., Павлов С.Г., Шастин В.Н.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Проведены спектральные исследования длинноволнового ИК лазера на горячих дырках Ge в E normal H полях при одноосной деформации активного элемента в направлении [110]. Обнаружены эффект непрерывной перестройки от 54 до 74 см-1 и увеличение максимума спектральной интенсивности излучения лазера и его КПД в 1.5-2 раза. Авторы связывают наблюдаемые эффекты с уменьшением межподзонного примесного рассеяния и изменением спектров состояний дырок вблизи дна валентной зоны (включая примесные).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.