Рассмотрены вольт-амперные характеристики монокристаллическпх пленок Pb_1-xSn_xTe<In> (x=0.22, 0.24, N_In= 0.23, 0.3 и 0.8 ат %) при температуре 4.2 К в присутствии фоновых засветок различной интенсивности. Показано, что присутствие фона 300 К существенно меняет форму вольт-амперных характеристик по сравнению с темновой, уменьшает инерционность фотопроцессов на несколько порядков, а дополнительное освещение через фильтр, срезающий длинноволновую часть спектра, не меняя формы вольт-амперной характеристики, приводит к уменьшению токов. Наблюдаемые явления объясняются в рамках модели ян-теллеровских центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.