Методом комбинационного рассеяния света обнаружен и исследован эффект ионно-пучкового отжига аморфизированных имплантацией слоев Si в процессе повторного облучения ионами H⁺ и He⁺. Проанализированы особенности спектров аморфной фазы. Показано, что наблюдаемый эффект носит радиационно-стимулированный характер и обусловлен процессами рекристаллизации на границах раздела аморфной и кристаллической фаз Si, причем ее эффективность существенно зависит от размеров микрокристаллитов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.