Получены общие выражения для линейной и квадратичной по магнитному полю добавок к тензору электропроводности \hat sigma. Предложенный метод позволяет вычислить эти добавки даже в случае сильного взаимодействия электронов с примесями (например, при резонансном рассеянии электронов акцепторами в бесщелевом полупроводнике), если известна одночастичная функция Грина. Анализ полученной недиагональной компоненты тензора высокочастотной проводимости показывает, что эффективность резонансного рассеяния вырожденных электронов уменьшается с ростом частоты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.