"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
Журавлев К.С., Морозов Б.В., Терехов А.С., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Изучено влияние примесно-дефектных комплексов в арсениде галлия p-типа, выращенном методом ЖФЭ и легированном германием, на зависимость интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) от концентрации дырок. Обнаружено, что падение интенсивности ФЛ, наблюдаемое в области сильного легирования p > 1019 см-3, усиливается с ростом концентрации комплексов. Показано, что для объяснения этого падения безызлучательной оже-рекомбинацией необходимо учитывать влияние рассеяния квазиимпульса носителей заряда на примесно-дефектных комплексах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.