На основе новой модели теоретически найдено изменение потенциала поверхности полупроводника светом, вызывающим межзонные переходы. Модель состоит в том, что вводятся две подсистемы основных носителей заряда, которые характеризуются различными квазиуровнями Ферми. Для массивного полупроводника n-типа это будут электроны массива и электроны поверхностных состояний. Согласно модели, изменение потенциала поверхности при освещении равно разности квазиуровней Ферми этих подсистем. Квазиуровень Ферми фотодырок не совпадает, вообще говоря, ни с одним из упомянутых выше, за исключением поверхности, где он совпадает с квазиуровнем Ферми поверхностных электронов. Формула, полученная для фотоизменения поверхностного потенциала, вполне аналогична выражению для фотоэдс структуры металл-полупроводник, однако входящий в нее феноменологический параметр - скорость поверхностной рекомбинации - имеет другой физический смысл и другое численное значение. Рассмотрена также задача о фотоизменении распределения потенциала в тонком n-слое -поверхностно-барьерной n-p-структуры. В этой задаче принимаются в расчет три электронные подсистемы с различными квазиуровнями Ферми.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.