"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок n-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами
Брудный В.Н.1, Кособуцкий А.В.2, Колин Н.Г.3, Корулин А.В.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
3НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинский филиал, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Выполнены исследования зависимости структурных параметров эпитаксиальных пленок GaN на сапфире (n-GaN/Al2O3(0001)) после облучения реакторными нейтронами интегральными потоками до 7.25·1019 бн/см2 (varphiбн/varphiтн~1) и последующего изохронного отжига до 1000oC. Измерения параметров решетки a и c облученных пленок n-GaN выявили увеличение постоянной решетки c на 0.38% при практически неизменной величине параметра a. Из теоретических оценок следует, что в облученной пленке n-GaN величина упругого напряжения растяжения вдоль оси c доходит до ~1.5 ГПа; тогда как напряжение сжатия в базальной плоскости элементарной ячейки составляет около -0.5 ГПа. Растяжение облученной пленки GaN вдоль гексагональной оси приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны Eg и понижению уровня зарядовой нейтральности на 37 и 22 мэВ соответственно по отношению к их значениям в исходной пленке GaN на сапфире. Восстановление вызванного облучением реакторными нейтронами изменения параметра Delta c имеет место в температурном интервале 100-1000oC с основной стадией отжига вблизи 400oC.
  • M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Cheng. Appl. Phys. Lett., 69, 73 (1996)
  • J.C. Marques, K. Lorenz, N. Franco, E. Alives. Nucl. Instrum. Meth. B, 249 (1--2), 358 (2006)
  • A. Polian, M. Grimsditch, I. Gregory. J. Appl. Phys., 79, 3343 (1996)
  • M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Sota, T. Deguchi, K. Shimada, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 85, 8502 (1999)
  • В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТТ, 53 (4), 633 (2011)
  • M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyer, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, J. Major. J. Phys. D: Appl. Phys., 28, A149 (1995)
  • M. Leszczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski. Appl. Phys. Lett., 175, 1276 (1999)
  • R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Rudzinski, M. Zaj ac. Appl. Phys. Lett., 93, 061 910 (2008)
  • V. Darakchieva, B. Monemar, A. Usui. Appl. Phys. Lett., 91, 031 911 (2007)
  • J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 66, 115 202 (2002)
  • M.A. Moram, Z.H. Barber, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 102, 023 505 (2007)
  • J. Napierala, D. Martin, N. Grandjean, M. Ilegems. J. Cryst. Growth, 289, 445 (2006)
  • В.М. Бойко, С.С. Веревкин, Н.Г. Колин, А.В. Корулин, Д.И. Меркурисов, А.Я. Поляков, В.А. Чевычелов. ФТП, 45 (1), 136 (2010)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
  • В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 51 (12), 24 (2008). В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП, 43 (10), 1312 (2009)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, Cheui-Ro Lee, In-Hwan Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 25 (2), 436 (2007)
  • I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 60 (11), 8147 (1999)
  • F. Gao, E.J. Bylaska, W.J. Weber. Phys. Rev. B, 70 (24), 245 208 (2004)
  • Cris G. Van de Walle, Jorg Neugebaer. J. Appl. Phys., 95 (8), 3851 (2004)
  • K.H. Chow, G.D. Watkins, Akira Usui, M. Mizuta. Phys. Rev. Lett., 85 (13), 2761 (2000)
  • В.М. Бойко, В.Т. Бублик, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, К.Д. Щербачев. ФТП, 40 (6), 641 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.