"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы четверных твердых растворов в системе Cd-Mg-Mn-Te по псевдобинарным разрезам Cd0.75-xMgxMn0.25Te, Cd0.75-xMg0.25MnxTe и Cd1-2xMgxMnxTe. На полученных в пределах каждого из указаных разрезов монокристаллах созданы первые фоточувствительные структуры --- барьеры Шоттки In/CdMgMnTe. Получены спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования, и обнаружена широкополосная фоточувствительность новых структур. На основании спектральных зависимостей фоточувствительности обсуждается характер мезонных переходов и определены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Установлены возможности применения выращенных монокристаллов четверных твердых растворов CdMgMnTe в широкодиапазонных фотопреобразователях оптических излучений.
  1. W. Giriat, J.K. Furduna. Semicond. Semimet., 25, 1 (1988)
  2. O. Goede, W. Heimbrodt. Phys. Status Solidi B, 146, 11 (1988)
  3. В.Ф. Агекян. ФТТ, 44, 1921 (2002)
  4. J.A. Gay, R.R. Galazka, N.I. Navrocki. Sol. St. Commun., 25, 193 (1978)
  5. J.D. Park, S. Yamamoto, J. Watanabe, K. Takamura, J. Nakaharo. J. Phys. Soc. Jpn., 66, 3289 (1987)
  6. В.Ф. Агекян, М.Н. Васильев, А.Ю. Серов, Н.Г. Философов, G. Kazarewski. ФТТ, 47, 2074 (2005)
  7. Г.А. Ильчук, Р.Ю. Петрусь, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 78, 49 (2008)
  8. Г.А. Ильчук, Р.Ю. Петрусь, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33 (24), 24 (2007)
  9. Ж.И. Алфёров. УФН, 172, 1073 (2002)
  10. U. Ozgur, Y.I. Alvov, C. Lio, A. Teke, M.A. Peshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, A.H. Marcoch. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  11. А.Е. Поляков, Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, Е.А. Кожукеев, H.S. Kin, D.P. Norton, А.И. Белогоров. ФТП, 43, 574 (2009)
  12. Г.К. Аверкиева, М.Е. Бойко, Н.Н. Константинова, Т.Б. Попова, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТТ, 34, 2284 (1992)
  13. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  14. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  15. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.