Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Разработана количественная модель образования фиксированного заряда (Qf) в диоксиде кремния при термическом окислении кремния. Величина Qf определяется количеством межузельных атомов кремния вблизи межфазной границы Si-SiO2, образующихся в результате процессов их генерации и рекомбинации на межфазной границе, а также диффузии в глубь диоксида. Модель позволяет описать уменьшение фиксированного заряда при увеличении температуры окисления, а также при отжиге в нейтральных средах для диоксида кремния ориентаций (100) и (111) в широком диапазоне температур.
- Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1988)
- B.E. Deal, M. Sclar, A.S. Grove, E.H. Snow. J. Electrochem. Soc., 127, 266 (1967)
- E. Poindexter, P. Caplan, Deal B. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
- A. Stesmans, V.V. Afanas'ev. J. Appl. Phys., 83, 2449 (1998)
- А.В. Емельянов, В.В. Егоркин. Поверхность, N 11, 44 (1987)
- P. Somers, A. Stesmans, V.V. Afanas'ev, C. Clayes, E. Simoen. J. Appl. Phys., 103, 033 703 (2008)
- Л.К. Думиш, В.Н. Ребров, Ю.В. Федорович. Электрон. техн. Сер. 2, 25 (1967)
- R.J. Powell, C.N. Berglund. J. Appl. Phys., 42, 4390 (1971)
- B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 121, 198 (1974)
- M. Hamasaki. Sol. St. Electron., 25, 205 (1982)
- H. Goronkin. J. Electrochem. Soc., 124, 314 (1977)
- S.I. Raider, A. Berman. J. Electrochem. Soc., 125, 629 (1978)
- P.J. Grunthaner, M.H. Hecht, F.J. Grunthaner. J. Appl. Phys., 61, 629 (1987)
- S.P. Murarka. Appl. Phys. Lett., 34, 587 (1979)
- В.А. Арсламбеков, А. Сафаров. Микроэлектроника, 9, 54 (1980)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
- W.A. Tiller. J. Electrochem. Soc., 128, 689 (1981)
- В.А. Арсламбеков. В сб.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, 1978) с. 107
- F. Rochet, B. Agius, S. Rigo. Adv. Phys., 35, 237 (1986)
- A.I. Akinwande, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 134, 2573 (1987)
- S.W. Crowder, C.J. Hsieh, P.B. Griffin and J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 76, 2756 (1994)
- A.M. Agarwal, S.T. Dunham. J. Appl. Phys., 78, 5313 (1995)
- О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 42, 1400 (2008)
- B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
- F. Montillo, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 118, 1463 (1971)
- Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura. Appl. Phys. Lett., 88, 153 516 (2006)
- D. Mathiot, J.P. Schunck, M. Perego, M. Fanciuli, P. Normand, C. Tsamis, D. Tsoukalas. J. Appl. Phys., 94, 2136 (2003)
- D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89, 7809 (2001)
- T. Takahashi. J. Appl. Phys., 93, 3674 (2003)
- K. Taniguchi, D.A. Antoniadis, Y. Matsushita. J. Appl. Phys., 42, 961 (1983)
- D. Collard, K. Taniguchi. IEEE Tans. Electron. Dev., 33, 1454 (1986)
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
- M.T. Tang, K.W. Evans-Lutterodt, M.L. Green. Appl. Phys. Lett., 64, 748 (1994)
- C.R. Helms, E.H. Poindexter. Rep. Progr. Phys., 57, 791 (1994)
- A. Edwards, W. Fowler. Phys. Rev. B, 26, 6649 (1982)
- A.I. Akinwande, C.P. Ho, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 45, 263 (1984)
- R.R. Razouk, B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 126, 1573 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
