"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния
Александров О.В.1, Дусь А.И.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Разработана количественная модель образования фиксированного заряда (Qf) в диоксиде кремния при термическом окислении кремния. Величина Qf определяется количеством межузельных атомов кремния вблизи межфазной границы Si-SiO2, образующихся в результате процессов их генерации и рекомбинации на межфазной границе, а также диффузии в глубь диоксида. Модель позволяет описать уменьшение фиксированного заряда при увеличении температуры окисления, а также при отжиге в нейтральных средах для диоксида кремния ориентаций (100) и (111) в широком диапазоне температур.
  1. Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
  2. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1988)
  3. B.E. Deal, M. Sclar, A.S. Grove, E.H. Snow. J. Electrochem. Soc., 127, 266 (1967)
  4. E. Poindexter, P. Caplan, Deal B. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
  5. A. Stesmans, V.V. Afanas'ev. J. Appl. Phys., 83, 2449 (1998)
  6. А.В. Емельянов, В.В. Егоркин. Поверхность, N 11, 44 (1987)
  7. P. Somers, A. Stesmans, V.V. Afanas'ev, C. Clayes, E. Simoen. J. Appl. Phys., 103, 033 703 (2008)
  8. Л.К. Думиш, В.Н. Ребров, Ю.В. Федорович. Электрон. техн. Сер. 2, 25 (1967)
  9. R.J. Powell, C.N. Berglund. J. Appl. Phys., 42, 4390 (1971)
  10. B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 121, 198 (1974)
  11. M. Hamasaki. Sol. St. Electron., 25, 205 (1982)
  12. H. Goronkin. J. Electrochem. Soc., 124, 314 (1977)
  13. S.I. Raider, A. Berman. J. Electrochem. Soc., 125, 629 (1978)
  14. P.J. Grunthaner, M.H. Hecht, F.J. Grunthaner. J. Appl. Phys., 61, 629 (1987)
  15. S.P. Murarka. Appl. Phys. Lett., 34, 587 (1979)
  16. В.А. Арсламбеков, А. Сафаров. Микроэлектроника, 9, 54 (1980)
  17. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
  18. W.A. Tiller. J. Electrochem. Soc., 128, 689 (1981)
  19. В.А. Арсламбеков. В сб.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, 1978) с. 107
  20. F. Rochet, B. Agius, S. Rigo. Adv. Phys., 35, 237 (1986)
  21. A.I. Akinwande, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 134, 2573 (1987)
  22. S.W. Crowder, C.J. Hsieh, P.B. Griffin and J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 76, 2756 (1994)
  23. A.M. Agarwal, S.T. Dunham. J. Appl. Phys., 78, 5313 (1995)
  24. О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 42, 1400 (2008)
  25. B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
  26. F. Montillo, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 118, 1463 (1971)
  27. Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura. Appl. Phys. Lett., 88, 153 516 (2006)
  28. D. Mathiot, J.P. Schunck, M. Perego, M. Fanciuli, P. Normand, C. Tsamis, D. Tsoukalas. J. Appl. Phys., 94, 2136 (2003)
  29. D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89, 7809 (2001)
  30. T. Takahashi. J. Appl. Phys., 93, 3674 (2003)
  31. K. Taniguchi, D.A. Antoniadis, Y. Matsushita. J. Appl. Phys., 42, 961 (1983)
  32. D. Collard, K. Taniguchi. IEEE Tans. Electron. Dev., 33, 1454 (1986)
  33. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  34. M.T. Tang, K.W. Evans-Lutterodt, M.L. Green. Appl. Phys. Lett., 64, 748 (1994)
  35. C.R. Helms, E.H. Poindexter. Rep. Progr. Phys., 57, 791 (1994)
  36. A. Edwards, W. Fowler. Phys. Rev. B, 26, 6649 (1982)
  37. A.I. Akinwande, C.P. Ho, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 45, 263 (1984)
  38. R.R. Razouk, B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 126, 1573 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.