"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поглощение и спектры оптических параметров в аморфных твердых растворах системы Se-S
Джалилов Н.З.1, Дамиров Г.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Исследованием оптических свойств системы Se-S установлено, что существует корреляция между зависимостями коэффициента оптического поглощения (alpha), эффективной концентрации заряженных дефектов (Nt) и характеристической энергией (E0), соответствующей урбаховскому поглощению света в области спектра, где выполняется правило Урбаха в системе Se-S. Эти оптические свойства контролируются заряженными дефектами. Показано, что изменением состава системы Se-S можно изменить концентрации собственных заряженных дефектов. Исследованы спектры отражения аморфных твердых растворов системы Se-S в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса-Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических и диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от состава системы Se-S объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний зависят от характера конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменение характера ближнего порядка.
  1. D. Jecu, J. Jaklovszky, A. Trutia. et al. J. Non-Cryst. Sol., 90, N 1--3, 319 (1987)
  2. O. Watanabe, S. Tamaki. Electrochim. Acta, 13 (N 1), 11 (1968)
  3. И.А. Парибок-Александрович. Уч. зап. Вологод. гос. пед. ин-та, 39, 240 (1969)
  4. Б.Ф. Бiленький, М.В. Пашковский. Вiсник Львiвськ. ун-ту. Сер. фiз., 13 (N 5), 71 (1969)
  5. Ohsaka Toshiaki. J. Non-Cryst. Sol., 17 (N 1), 121 (1975)
  6. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
  7. H. Mott, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  8. M.F. Kotkata, S.A. Noun, L. Farkas, M.M. Radwan. J. Mater. Sci., 27 (N 7), 1785 (1992)
  9. В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  10. D.L. Greenaway, G. Harbeke. J. Phys. Chem. Sol., 26, 1585 (1965)
  11. Оптические свойства полупроводников, под ред. Бира (М., ИЛ, 1970)
  12. Н.З. Джалилов, С.И. Мехтиева, Н.М. Абдуллаев. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр. наук, XXVII (N 5), 114 (2007)
  13. E.A. Davis, N.F. Mott. Conduction in Non-Crystalline Systems V. Conductivity, Optical Absorption and Photoconductivity in Amorphous Semiconductors (1970) p. 903
  14. С.Д. Барановский, Э.А. Лебедев. ФТП, 19, 6 (1985)
  15. С.Р. Овшинский. В кн.: Тр. VI Межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам (Л., 1976) с. 426
  16. F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
  17. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
  18. H.P.D. Langon. Phys. Rev., 130, 134 (1963)
  19. J. Tauc. In: Optical Properties of Solids, ed. by F. Abeles (North-Holland, Amsterdam, 1970) p. 277
  20. E.A. Davis, N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 4, 107 (1970)
  21. Я.Г. Клява. ФТТ, 27, 1350 (1985)
  22. Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 43, 1521 (2009)
  23. В.Л. Бонч-Бруевич. УФН, 140, 583 (1983)
  24. J. Tauc, A. Mentl, D.L. Wood. Phys. Rev. Lett., 25, 749 (1970)
  25. M. Kumeda et al. Phys. Status Solidi B, 73, K19 (1976)
  26. J.C. Phillips. Phys. Rev., 125, 1931 (1962); Phys. Rev., 133, A452 (1964)
  27. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 486
  28. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  29. Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ЖСК, 27 (N 6), 146 (1986)
  30. К.К. Шварц, Ю.Н. Шунин, Я.А. Тетерис. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, N 4, 51 (1987)
  31. K.K. Shvarts, F.V. Pirgorov, Yu.N. Shunin, J.A. Teteris. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 17, 133 (1987)
  32. Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ФТП, 23 (N 6), 1049 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.