Поглощение и спектры оптических параметров в аморфных твердых растворах системы Se-S
Джалилов Н.З.1, Дамиров Г.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Исследованием оптических свойств системы Se-S установлено, что существует корреляция между зависимостями коэффициента оптического поглощения (alpha), эффективной концентрации заряженных дефектов (Nt) и характеристической энергией (E0), соответствующей урбаховскому поглощению света в области спектра, где выполняется правило Урбаха в системе Se-S. Эти оптические свойства контролируются заряженными дефектами. Показано, что изменением состава системы Se-S можно изменить концентрации собственных заряженных дефектов. Исследованы спектры отражения аморфных твердых растворов системы Se-S в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса-Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических и диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от состава системы Se-S объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний зависят от характера конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменение характера ближнего порядка.
- D. Jecu, J. Jaklovszky, A. Trutia. et al. J. Non-Cryst. Sol., 90, N 1--3, 319 (1987)
- O. Watanabe, S. Tamaki. Electrochim. Acta, 13 (N 1), 11 (1968)
- И.А. Парибок-Александрович. Уч. зап. Вологод. гос. пед. ин-та, 39, 240 (1969)
- Б.Ф. Бiленький, М.В. Пашковский. Вiсник Львiвськ. ун-ту. Сер. фiз., 13 (N 5), 71 (1969)
- Ohsaka Toshiaki. J. Non-Cryst. Sol., 17 (N 1), 121 (1975)
- А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
- H. Mott, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- M.F. Kotkata, S.A. Noun, L. Farkas, M.M. Radwan. J. Mater. Sci., 27 (N 7), 1785 (1992)
- В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
- D.L. Greenaway, G. Harbeke. J. Phys. Chem. Sol., 26, 1585 (1965)
- Оптические свойства полупроводников, под ред. Бира (М., ИЛ, 1970)
- Н.З. Джалилов, С.И. Мехтиева, Н.М. Абдуллаев. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр. наук, XXVII (N 5), 114 (2007)
- E.A. Davis, N.F. Mott. Conduction in Non-Crystalline Systems V. Conductivity, Optical Absorption and Photoconductivity in Amorphous Semiconductors (1970) p. 903
- С.Д. Барановский, Э.А. Лебедев. ФТП, 19, 6 (1985)
- С.Р. Овшинский. В кн.: Тр. VI Межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам (Л., 1976) с. 426
- F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
- H.P.D. Langon. Phys. Rev., 130, 134 (1963)
- J. Tauc. In: Optical Properties of Solids, ed. by F. Abeles (North-Holland, Amsterdam, 1970) p. 277
- E.A. Davis, N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 4, 107 (1970)
- Я.Г. Клява. ФТТ, 27, 1350 (1985)
- Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 43, 1521 (2009)
- В.Л. Бонч-Бруевич. УФН, 140, 583 (1983)
- J. Tauc, A. Mentl, D.L. Wood. Phys. Rev. Lett., 25, 749 (1970)
- M. Kumeda et al. Phys. Status Solidi B, 73, K19 (1976)
- J.C. Phillips. Phys. Rev., 125, 1931 (1962); Phys. Rev., 133, A452 (1964)
- В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 486
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ЖСК, 27 (N 6), 146 (1986)
- К.К. Шварц, Ю.Н. Шунин, Я.А. Тетерис. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, N 4, 51 (1987)
- K.K. Shvarts, F.V. Pirgorov, Yu.N. Shunin, J.A. Teteris. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 17, 133 (1987)
- Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ФТП, 23 (N 6), 1049 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.