Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge-Sb-S
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина 
2Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина
2Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 24 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Исследовано влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на величину суммарного и статического радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках на примере сплавов системы Ge-Sb-S химического состава Ge23.5Sb11.8S64.7. Установлено, что при сопоставимых соотношениях между дозами gamma-облучения (Phi=3.0 и 7.72 МГр) и толщинами образцов (d=1.0 и 1.7 мм) изменение дозы значительно влияет на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в данных полупроводниках.
- O.I. Shpotyuk, R.Ya. Golovchak, T.S. Kavetsky, A.P. Kovalskiy, M.M. Vakiv. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 517 (2000)
- О.И. Шпотюк, Т.С. Кавецкий, А.П. Ковальский, Р.В. Луцив, В. Памукчиева. УФЖ, 46 (4), 495 (2001)
- O.I. Shpotyuk, T.S. Kavetskyy, A.P. Kovalskiy, V. Pamukchieva. Proc. SPIE, 4415, 278 (2001)
- O. Shpotyuk, T. Kavetskyy, J. Filipecki, A. Kovalskiy, V. Pamukchieva. Scientific Works of Pedagogical University in Czetochowa. Chemistry (Czetochowa, Poland, 2001) v. 5, p. 189
- O.I. Shpotyuk, R.Ya. Golovchak, A.P. Kovalskiy, T.S. Kavetskyy. Func. Mater., 10 (2), 317 (2003)
- O.I. Shpotyuk, R.Ya. Golovchak, A.P. Kovalskiy, M.M. Vakiv, V.D.Pamukchieva, D.D. Arsova, E.R. Skordeva. Phys. Chem. Glasses, 42, 95 (2001)
- A. Kovalskiy. J. Optoelectron. Adv. Mater., 3 (2), 323 (2001)
- V. Balitska, R. Golovchak, A. Kovalskiy, E. Skordeva, O.I. Shpotyuk. J. Non-Cryst. Sol. 326--327, 130 (2003)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
- P.V. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
- R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
- A.V. Kolobov, K. Tanaka. ФТП, 32 (8), 899 (1998)
- И.А. Васильев, С.Д. Шутов. ФТП, 32 (4), 490 (1998)
- И.А. Васильев, С.Д. Шутов. ФТП, 33 (7), 863 (1999)
- V.M. Lyubin, M.L. Klebanov. ФТП, 32 (8), 915 (1998)
- С.А. Дембовский, А.С. Зюбин, Ф.В. Григорьев. ФТП, 32 (8), 944 (1998)
- Л.П. Казакова, К.Д. Цэндин. ФТП, 33 (7), 866 (1999)
- O.I. Shpotyk. Semicond. Semimet., 78, 215 (2004)
- A. Kovalskiy, H. Jain, A. Miller, R.Ya. Golovchak, O.I. Shpotyuk. J. Phys. Chem. B, 110, 22 930 (2006)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, I. Kaban, W. Hoyer. J. Chem. Phys., 128 (24), 244 514 (2008)
- T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, V. Balitska, G. Dovbeshko, I. Blonskyy, I. Kaban, W. Hoyer, M. Iovu, A. Andriesh. Proc. SPIE, 7142, 71420B (2008)
- O.I. Shpotyuk, A.P. Kovalskiy, T.S. Kavetskyy, R.Ya. Golovchak. J. Non-Cryst. Sol., 351, 993 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
