Вышедшие номера
Влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge-Sb-S
Кавецкий Т.С.1,2
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Научно-производственное предприятие "Карат", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 24 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Исследовано влияние толщины образца и дозы gamma-облучения на величину суммарного и статического радиационно-индуцированных оптических эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках на примере сплавов системы Ge-Sb-S химического состава Ge23.5Sb11.8S64.7. Установлено, что при сопоставимых соотношениях между дозами gamma-облучения (Phi=3.0 и 7.72 МГр) и толщинами образцов (d=1.0 и 1.7 мм) изменение дозы значительно влияет на проявление радиационно-индуцированных оптических эффектов в данных полупроводниках.