"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Терновая В.Е.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs(100), легированных кремнием до ~1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, Delta a<0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., John Wiley and Sons, 1981)
  • C. Kolm, S.A. Kulin, B.L. Averbach. Phys. Rev., 108, 965 (1957)
  • A.S. Jordan, M.E. Weiner. J. Electrochem. Soc., 121, 1634 (1974)
  • N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W.T. Masselink, R. Fischer, Y.-Ch. Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
  • M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimoto, S. Minomura. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L143 (1985)
  • D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
  • J. Dabrowski, M. Scheffler. Mater. Sci. Forum, 83-- 87, 735 (1992)
  • D.N. Talwar, M. Vandevyver. Phys. Rev. B, 40, 9779 (1989)
  • П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009)
  • П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008)
  • Handbook of Semiconductor Technology, ed. by K.A. Jackson, W. Schroter (John Wiley \& Sons, 2000)
  • D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  • Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring Thorpe. J. Appl. Phys., 81, 1683 (1997)
  • S. Fleischer, C.D. Beling, S. Fung, W.R. Nieveen, J.E. Squire, J.Q. Zheng, M. Missous. J. Appl. Phys., 81, 1 (1997)
  • Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 354 (2005)
  • M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B, 1 (4), 1576 (1970)
  • W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids (W.H. Freeman, San Francisco, 1980)
  • D. Wolverson, D.M. Bird, C. Bradford, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 64, 113 203 (2001)
  • Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Sci., London, 1999) v. 2, p. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.