Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 4 » Статья стр. 488
<<<>>>
Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Терновая В.Е.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
PDF версия
Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs(100), легированных кремнием до ~1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, Delta a<0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах AlxGa1-xAs : Si/GaAs(100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.
  1. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., John Wiley and Sons, 1981)
  2. C. Kolm, S.A. Kulin, B.L. Averbach. Phys. Rev., 108, 965 (1957)
  3. A.S. Jordan, M.E. Weiner. J. Electrochem. Soc., 121, 1634 (1974)
  4. N. Chand, T. Henderson, J. Klem, W.T. Masselink, R. Fischer, Y.-Ch. Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 30, 4481 (1984)
  5. M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimoto, S. Minomura. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L143 (1985)
  6. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
  7. J. Dabrowski, M. Scheffler. Mater. Sci. Forum, 83-- 87, 735 (1992)
  8. D.N. Talwar, M. Vandevyver. Phys. Rev. B, 40, 9779 (1989)
  9. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009)
  10. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1072 (2008)
  11. Handbook of Semiconductor Technology, ed. by K.A. Jackson, W. Schroter (John Wiley \& Sons, 2000)
  12. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  13. Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring Thorpe. J. Appl. Phys., 81, 1683 (1997)
  14. S. Fleischer, C.D. Beling, S. Fung, W.R. Nieveen, J.E. Squire, J.Q. Zheng, M. Missous. J. Appl. Phys., 81, 1 (1997)
  15. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 354 (2005)
  16. M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B, 1 (4), 1576 (1970)
  17. W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids (W.H. Freeman, San Francisco, 1980)
  18. D. Wolverson, D.M. Bird, C. Bradford, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 64, 113 203 (2001)
  19. Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Sci., London, 1999) v. 2, p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme