"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного полевого GaAs-транзистора с затвором Шоттки
Шестаков А.К.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Проведено моделирование арсенид-галлиевого ионно-легированного транзистора с затвором Шоттки. Найден профиль легирования, полученный при легировании через диэлектрическую маску, рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзистора от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзистора при изменении параметров его профиля легирования и коэффициента компенсации подложки. На основе расчетов предсказаны оптимальные параметры профиля легирования, которые обеспечивают наилучшие характеристки транзистора.
  1. Б.И. Селезнев, В.А. Дмитриев, А.П. Штейнгарт. Вестн. НовГУ, 19. 101 (2001)
  2. http://www.macomtech.com
  3. Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988). [Пер. с англ.: GaAs FET Principles and Technology, ed. by J.V. DiLorenzo, D.D. Khandelwal (Artech House Inc., 1982)]
  4. R. Anholt, T.W. Sigmon. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (2), 250 (1989)
  5. B.L. Sharma. Def. Sci. J., 39 (4), 353 (1989)
  6. R. Anholt, P. Balasingam, S.Y. Chou, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 64 (7), 3429 (1988)
  7. А.Ю. Бончик, И.И. Ижин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3, 3 (2005)
  8. R. Anholt, T.W. Sigmon. J. Electron. Mater., 17 (1), 5 (1988)
  9. Tzu-Hung Chen, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron., Dev., 32 (1), 18 (1985)
  10. M.B. Dutt, Ram Nat, R. Kumar, B.L. Sharma. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (4), 765 (1989)
  11. D. Pavlidis, J.-L. Cazaux, J. Graffeuil. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 36 (4), 642 (1988)
  12. TCAD Sentaurus Manual Version C-2009.06
  13. K. Blotekjaer. IEEE Trans. Electron. Dev., 17 (1), 38 (1970)
  14. А.М. Бобрешов, А.В. Дыбой, Ю.Н. Нестеренко, Ю.Ю. Разуваев. Вестн. ВГУ. Сер. Физика. Математика, N 1, 5 (2008)
  15. М.С. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. [Пер. с англ. под ред. М.Е. Левинштейна и В.Е. Челнокова] (М., Мир, 1991)
  16. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
  17. Y. Wada, M. Tomizawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (11), 1765 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.