"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире
Воротынцев В.М.1, Шолобов Е.Л.2, Герасимов В.А.2
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Научно-производственный центр Научно-исследовательского института измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций "кремний на сапфире" до и после твердофазной рекристаллизации.
  1. T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo. Oki Technical Rev., 71 (4), 66 (2004)
  2. M.E. Twigg, E.D. Richmond. J. Appl. Phys., 64(6), 3037 (1988)
  3. А.С. Адонин. Электронные компоненты, 3, 40 (2000)
  4. M.L. Burgener, R.E. Reedy. U.S. Pat., 5.416.043 (1995)
  5. T. Nakamura, H. Kobayashi, T. Takahashi, T. Inada. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 7 (8), 275 (1985)
  6. С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., МИСИС, 1994) гл. 3, с. 147
  7. В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1986) гл. 6, с. 235
  8. E.S. Meieran, P.A. Flinn, J.R. Carruthers. Proc. IEEE, 75 (7), 68 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.