Вышедшие номера
Кристаллизация пленок аморфного гидрогенизированного кремния с применением фемтосекундных лазерных импульсов
Володин В.А.1,2, Качко А.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Для кристаллизации пленок гидрогенизированного аморфного кремния на стеклянных подложках было использовано излучение титан-сапфирового лазера с длительностью импульсов <30 фс. Исходные пленки выращивались с применением метода плазмохимического осаждения при температурах 200 и 250oC. Структурные свойства исходных и обработанных импульсами лазерного излучения пленок были исследованы с помощью метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Найдены режимы полной кристаллизации пленок на стекле с толщинами до 100 нм, содержащих до 20 ат% водорода, с хорошей однородностью при сканирующих обработках. Обнаружено, что при содержании водорода в пленках 30-40 ат% процесс кристаллизации неоднороден, наблюдается лазерная абляция некоторых областей пленок.