Вышедшие номера
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Сизов В.С.1,2, Усов С.О.1,2, Мусихин Ю.Г., Gerthsen D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Laboratorium fur Electronenmikroskopie, Universitat (TH) Karlsruhe, Karlsruhe, Deutschland
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Представлены результаты исследований влияния добавки водорода при росте тонких слоев (~2-3 нм) InGaN на их структурные свойства и свойства светодиодных структур, содержащих в активной области гетероструктуры InGaN/GaN. Показано, что, помимо известного эффекта уменьшения среднего состава по In, добавка водорода приводит к изменению локальной фазовой сепарации в слоях InGaN. Добавка водорода при росте InGaN изначально вызывает подавление локальной фазовой сепарации, а добавка водорода при прерываниях роста после осаждения InGaN приводит к уменьшению размеров сформированных локальных In-обогащенных областей и к некоторому увеличению в них локального содержания атомов In.