"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Сизов В.С.1,2, Усов С.О.1,2, Мусихин Ю.Г., Gerthsen D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Laboratorium fur Electronenmikroskopie, Universitat (TH) Karlsruhe, Karlsruhe, Deutschland
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Представлены результаты исследований влияния добавки водорода при росте тонких слоев (~2-3 нм) InGaN на их структурные свойства и свойства светодиодных структур, содержащих в активной области гетероструктуры InGaN/GaN. Показано, что, помимо известного эффекта уменьшения среднего состава по In, добавка водорода приводит к изменению локальной фазовой сепарации в слоях InGaN. Добавка водорода при росте InGaN изначально вызывает подавление локальной фазовой сепарации, а добавка водорода при прерываниях роста после осаждения InGaN приводит к уменьшению размеров сформированных локальных In-обогащенных областей и к некоторому увеличению в них локального содержания атомов In.
  1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 76 (12), 8189 (1994)
  2. W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 14-18, 1999) p. 485
  3. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg. Proc. IWN2000 (Nagoya, Sept. 24-27, 2000)
  4. Yong-Tae Moon, Dong-Joon Kim, Keun-Man Song, Chel-Jong Choi, Sang-Heon Han, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park. J. Appl. Phys., 89 (11), 6514 (2001)
  5. W. Liu, S.J. Chua, X.H. Zhang, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 83, 914 (2003)
  6. Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE 6473, 6473D (2007)
  7. D. Gerthsen, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, O. Schon, M. Heuken, A. Rizzi. Phys. Status Solidi, 177, 145 (2000)
  8. Seung-Kyu Choi, Jae-Min Jang, Sung-Hak Yi, Jung-A Kim, Woo-Gwang Jung. Proc. SPIE, 6479, 64791F (2007)
  9. J. Bai, Q. Wang, T. Wang, A.G. Cullis, P.J. Parbrook. J. Appl. Phys. Lett., 105, 053 505 (2009)
  10. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
  11. Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М. Павлов, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 44 (6), 857 (2010)
  12. S.Yu. Karpov, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, A.I. Zhmakin. Phys. Rev. B, 70, 235 203 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.