"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями
Попова Т.Б.1, Бакалейников Л.А.1, Флегонтова Е.Ю.1, Шахмин А.А.1, Заморянская М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие.
  1. С.Г. Конников, А.А. Гуткин, М.В. Заморянская, Т.Б. Попова, А.А. Ситникова, А.А. Шахмин, М.А. Яговкина. ФТП, 43 (9), 1280 (2009) [Semiconductors, 43, 1240 (2009)]
  2. J.-L. Pouchou. Microchim. Acta, 138, 133 (2002)
  3. T.M. Phung, J.M. Jensen, D.C. Johnson, J.J. Donovan, B.G. McBurnett. X-Ray Spectrometry, 37, 608 (2008)
  4. T. Nagatomi. Surf. Interf. Anal., 37, 887 (2005)
  5. R. Gauvin. Microchim. Acta, 155, 75 (2006)
  6. X. Llovet, C. Merlet. Microsc. Microanal., 16, 21 (2010)
  7. Т.Б. Попова, Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.Ю. Флегонтова. ФТП, 42, 686 (2008) [Semiconductors, 42, 669 (2008)]
  8. Л.А. Бакалейников, Я.В. Домрачева, М.В. Заморянская, Е.В. Колесникова, Т.Б. Попова, Е.Ю. Флегонтова. ФТП, 43, 568 (2009) [Semiconductors, 43, 544 (2009)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.