"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова
Журбина И.А.1, Цетлин О.И.1, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Методами инфракрасной спектроскопии поглощения и комбинационного рассеяния света исследованы нанокристаллические пленки SnOx (1=<q x=<q 2), полученные термическим окислением слоев металлического олова. В инфракрасном диапазоне обнаружено монотонное уменьшение пропускания пленок после воздействия на них при комнатной температуре светом с длиной волны 380 нм. Эффект был максимальным для образцов с x~2 и наблюдался в течение ~10 мин после прекращения освещения. Указанные изменения оптических свойств, аналогичные наблюдаемым при нагреве образцов, объясняются увеличением концентрации свободных носителей заряда (электронов) в нанокристаллах диоксида олова. Из данных инфракрасной спектроскопии по модели Друде рассчитаны концентрации фотогенерируемых носителей заряда, они составили ~1019 см-3, а также найдены их изменения в процессе освещения и после его прекращения. Обсуждаются механизмы наблюдаемой фотогенерации носителей заряда в пленках SnOx, а также возможные применения данного эффекта в газовых сенсорах.
  1. Nam-Gyu Park, Man Gu Kang, Kwang Sun Ryu, Kwang Man Kim, Soon Ho Chang. Thin Sol. Films, 295, 271 (1997)
  2. H. Kim, G.P. Kushto, R.C.Y. Auyeung, A. Pique. Appl. Phys. A, 93, 521 (2008)
  3. R.E. Presley, C.L. Munsee, C.-H. Park, D. Hong, J.F. Wager, D.A. Keszler. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 2810 (2004)
  4. Н. Игнатьева. Элекроника: наука, технология, бизнес, 2, 34 (2005)
  5. A. Chowdhuri, V. Gupta, K. Sreenivas, R. Kumar, S. Mozumdar, P.K. Patanjali. Appl. Phys. Lett., 84 (7), 1180 (2004).
  6. S. Ray, P.S. Gupta, G. Singh. J. Avionic Res., 6 (11), 23 (2010)
  7. M.-M. Bagheri-Mohagheghi, M. Shokooh-Saremi. Semicond. Sci. Technol., 19, 764 (2004)
  8. J.D. Prades, R. Jimenez-Diaz, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J.R. Morante. Sensors Actuators B, 140, 337 (2009)
  9. Tsung-Yeh Yang, Hong-Ming Lin, Bee-Yu Wei, Chuan-Yi Wu, Chung-Kwei Lin. Rev. Adv. Mater. Sci. 4, 48 (2003)
  10. B.P.J. de Lacy Costello, R.J. Ewen, N.M. Ratcliffe, M. Richards. Sensors Actuators B, 134, 945 (2008)
  11. Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 28 (5), 603 (2004)
  12. M.I. Baraton. In: Sensors for environment, health and security (2008), p. 31
  13. E.L. Peltzer y Blanka, A. Svane, N.E. Christensen, C.O. Rodriguez, O.M. Cappannini, M.S. Moreno. Phys. Rev. B, 48 (31), 15 712 (1993)
  14. McGuire, K. Pan, Z.W. Wang, Z.L. Milkie, D. Menendez, J. Rao, A.M.J. Nanosci. Nanotechnology, 2, 499 (2002)
  15. L. Sangaletti, L.E. Depero, B. Allieri, F. Pioselli, E. Comini, G. Sberveglieri, M. Zocchi. J. Mater. Res., 13 (9), 2451 (1998)
  16. M. Batzill, U. Diebold. Progr. Surf. Sci., 79, 47 (2005)
  17. К.П. Богданов, Д.Ц. Димитров, О.Ф. Луцкая, Ю.М. Таиров. ФТП, 32 (10), 1158 (1998)
  18. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  19. A.N. Bondarchuk, A.B. Glot, S.V. Mazurik, M. Marquez Miranda, G. Jimenez-Santana. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 48, 30 302 (2009)
  20. Trends in Semiconductors Research, ed. by T. Elliot (Nova Science Publisher Inc, 2005)
  21. N. Takubo, Yu. Muraoka, Z. Hiroi. Appl. Phys. Express, 2, 045 501 (2009)
  22. В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих. ФТП, 32 (5), 613 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.