"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Склярчук О.В.1, Маслянчук О.Л.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Оптическими методами определена ширина запрещенной зоны Eg кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te, а также ее температурная зависимость. Это мотивировано значительной разноречивостью литературных данных, затрудняющих интерпретацию и расчет характеристик детекторов X- и gamma-излучения на основе этих материалов (Eg=1.39-1.54 и 1.51-1.6 эВ для CdTe и Cd0.9Zn0.1Te соответственно). Используемая методика определения Eg проанализирована с точки зрения влияния факторов, приводящих к неточностям определения ее значения. Измерения проведены на хорошо очищенных и совершенных образцах. Полученные данные для CdTe (Eg=1.47-1.48 эВ) и Cd0.9Zn0.1Te (Eg=1.52-1.53 эВ) при комнатной температуре существенно сужают интервал точности определения значений Eg.
  1. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1996)
  2. J.F. Butler, C.L. Lingren, F.P. Doty. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 605 (1992)
  3. R.H. Bube. Phys. Rev., 98, 431 (1955)
  4. C. Konak. Phys. Status. Solidi. 3, 1274 (1963)
  5. M. Cardona, K. Shaklee, F. Pollak. Phys. Rev., 154, 697 (1967)
  6. S. Del Soldo, L. Abbene, E. Caroli, A. Mancini, A. Zappettini, P. Ubertini. Sensors, 9 (5), 3491 (2009)
  7. Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ed. by S. Kasap, P. Capper (Springer Science, N.Y., 2006)
  8. A. Owens, A. Peacock. Nucl. Instr. Meth., A531, 18 (2004)
  9. T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
  10. J. Franc, P. Hli dek, P. Moravec, E. Belas, P. Hoschl, L. Turjanska, R. Varghov'a. Semicond. Sci. Technol, 15, 561 (2000)
  11. S.M. Johnson, S. Sen, W.H. Konkel, M.H. Kalisher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1897 (1991)
  12. A.J. Syllaios, P.K. Liao, B.J. Greene, H.F. Schaake, H.Y. Liu, G. Westphal. J. Electron. Mater., 26, 567 (1997)
  13. D.T.F. Marple. Phys. Rev., 150, 728 (1966)
  14. J. Singh. Physics of Semiconductors and Their Heterostructures (McGraw-Hill, N.Y., 1993)
  15. П.С. Киреев, Л.В. Волкова, В.В. Волков, Ю.В. Платонов. ФТП, 6 (1), 135 (1971)
  16. D.J. Olego, J.P. Faurie, S. Sivananthan, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 47, 1172 (1985)
  17. P. Fougeres, P. Siffert, M. Hageali, J.M. Koebel, R. Regal. Nucl. Instr. Meth., A428, 38 (1999)
  18. K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 6 (2), 121 (2003)
  19. A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83 (4), 2121 (1998)
  20. M. Prokesch, C. Szeles. J. Appl. Phys., 100, 014 503 (2006)
  21. J.L. Reno, E.D. Jones. Phys. Rev. B. 45, 1440 (1992)
  22. E. Lopez-Cruz, J. Gonzalez-Hernandez, D. Dallred, W.P. Allred. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1934 (1990)
  23. N. Bottka, J. Stankiewicz, W. Giriat. J. Appl. Phys., 52 (6), 41 (1981)
  24. H. Kuzmany. Solid-State Spectroscopy: An Introduction (Springer-Verlag: Berlin--Heidelberg--N.Y., 1998)
  25. E.J. Johnson. In: Semiconductors and Semimetals ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y., 1967) v. 3, p. 153
  26. J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentice--Hall, N.J., 1971)
  27. M. Fox. Optical properties of Solids (Oxford University Press, N.Y., 2001)
  28. T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.