"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция тербия в ксерогеле оксида алюминия, сформированном в матрице пористого анодного оксида алюминия, при различных видах возбуждения
Гапоненко Н.В.1, Кортов В.С.2, Ореховская Т.И.1, Николаенко И.А.1, Пустоваров В.А.2, Звонарев С.В.2, Слесарев А.И.2, Прислопский С.Я.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 15 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Методом золь-гель синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 150-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют фотолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Впервые обнаружена рентгенолюминесценция тербия для подобной структуры с наиболее интенсивной полосой излучения при 542 нм. Морфологический анализ структуры методом растровой электронной микроскопии указывает на наличие кластеров ксерогеля в каналах пор, при сохранении основного объема пор незаполненным, а устья пор открытыми. Полученные данные подтверждают перспективность использования сформированной структуры для создания матричных преобразователей рентгеновского и других видов ионизирующего излучения в видимое. Обсуждаются возможности повышения интенсивности люминесценции в матричном преобразователе.
  1. L.L. Hench, J.K. West. Chem. Rev., 90, 33 (1990)
  2. N.V. Gaponenko. Synthetic Metals, 124 (1), 125 (2001)
  3. N.V. Gaponenko. Acta Phys. Polon., 112, 737 (2007)
  4. J.M. Nedelec. J. Nanomaterials, Article ID 36392, P. 8 (2007)
  5. Г.К. Маляревич, Н.В. Гапоненко, А.В. Мудрый, Ю.Н. Дроздов, М.В. Степихова, Е.А. Степанова. ФТП, 43 (2), 170 (2009)
  6. A. Podhorodecki, M. Banski, J. Misiewicz, J. Serafinczuk, N.V. Gaponenko. J. Electrochem. Soc., 157 (6), H628 (2010)
  7. R. Kudrawiec, J. Misiewicz, L. Bryja, I.S. Molchan, N.V. Gaponenko. J. Alloys Comp., 341, 211 (2002)
  8. N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, G.E. Thompson, P. Skeldon, A. Pakes, R. Kudrawiec, L. Bryja, J. Misiewicz. Sensors Actuators A, 99, 71 (2002)
  9. N.V. Gaponenko, O.V. Sergeev, E.A. Stepanova, V.M. Parkun, A.V. Mudryi, H. Gnaser, J. Misiewicz, R. Heiderhoff, L.J. Balk, G.E. Thompson. J. Electrochem. Soc., 148 (2), H13 (2001)
  10. I.S. Molchan, N.V. Gaponenko, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, G.E. Thompson, P. Skeldon. J. Electrochem. Soc., 151 (1), H16 (2004)
  11. A. Peng, E. Xie, C. Jia, R. Jiang, H. Lin. Mater. Lett., 59, 3866 (2005)
  12. Н.В. Гапоненко, И.А. Николаенко, Е.А. Степанова, К.В. Артемьева, А.И. Мирончик, В.С. Кортов, С.В. Звонарев, В.А. Пустоваров. Тез. докл. 20-й Межд. Крымской конф. (Севастополь, Крым, Украина, 2010) с. 797
  13. H. Amekura, A. Eckau, R. Carius, Ch. Buchal. J. Appl. Phys., 84 3867 (1998)
  14. E. Zych, D. Hreniak, W. Strek. J. Alloys Comp., 341, 385 (2002)
  15. И.А. Николаенко, Е.А. Степанова, Т.И. Ореховская, К.В. Артемьева, Н.В. Гапоненко, В.С. Кортов, С.В. Звонарев, А.В. Мудрый. Сб. Тр. VII Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., Россия, 2010) с. 409.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.