Вышедшие номера
Электрофизические и фотоэлектрические свойства наноструктур, полученных неэлектролитическим травлением кремния
Биленко Д.И.1, Галушка В.В.1, Жаркова Э.А.1, Мысенко И.Б.1, Терин Д.В.1, Хасина Е.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства наноструктур со слоями пористого кремния, полученными неэлектролитическим травлением кремния. Установлено, что фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур зависят от морфологии структур и определяются не только свойствами модифицированного слоя, но и наличием возможных барьеров в слоисто-пористом кремнии. Кратность отношения фотопроводимости к темновой достигала 102-5·102. Обнаружено наличие напряжения холостого хода Voc, которое составило ~250 мВ при мощности падающего излучения, близкого к AM-1, ~100 мВт/см2. При этом плотность тока короткого замыкания Isc составляла ~20 мкА/см2.