"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом1
Гольдман Е.И.1, Кухарская Н.Ф.1, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязинский филиал, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Исследовано образование центров рождения электронно-дырочных пар у границы раздела кремний-окисел при полевом и термическом воздействиях на Si-МОП структуры со сверхтонким окислом, а также послестрессовая аннигиляция этих образований. Концентрации центров генерации неосновных носителей заряда (дырок) определялись из экспериментальных динамических вольт-амперных характеристик Si-МОП диодов путем фиксации продолжительности накопления равновесной плотности дырок у поверхности, разделяющей полупроводник и диэлектрик при переходе образца из состояния глубокого обеднения в состояние сильной инверсии. Показано, что МОП структуры со сверхтонким окислом гораздо более "податливы" полевому и термическому стрессам по сравнению с образцами с толстым изолирующим слоем: объекты со сверхтонким окислом легче повреждаются внешними воздействиями, но и быстрее восстанавливаются в исходное состояние при комнатной температуре.
  1. Е.И. Гольдман, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. Матер. XVI Междунар. науч.-техн. конф. Высокие технологии в промышленности России" 9-11 сентября, 2010 (М., Россия, ЦНИТИ "Техномаш", 2010) с. 181
  2. E.H. Poindexter. Semicond. Sci. Technol., 4, 961 (1989)
  3. G. Cellere, S. Gerardin, Al. Paccagnella. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides and R.D. Schrimpf. CRC Press (2008) ch. 17, p. 497
  4. В.А. Гриценко. УФН, 179 (9), 921 (2009)
  5. J. Nissan-Cohen. Appl. Surf. Sci., 39, 511 (1989)
  6. T.R. Oldham, F.B. McLean, H.E. Boesch, J.M. McCarrity. Semicond. Sci. Technol., 4, 986 (1989)
  7. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27, 1651 (1980)
  8. M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4, 980 (1989)
  9. M. Durr, Z. Hu, A. Biedermann, U. Hofer, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 63, 121 315 (R) 1--4 (2001)
  10. J.S. Suehle. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides and R.D. Schrimpf, CRC Press (2008) ch. 15, p. 437
  11. Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан , Г.В. Чучева. ФТП. 44, 1050 (2010)
  12. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, М.В. Черняев. ФТП, 42, 94 (2008)
  13. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев на кремнии (Л., 1988)
  14. J.H. Stathis, D.A. Buchanan, D.L. Quinlan, A.H. Parsons. Appl. Phys. Lett., 62, 2682 (1993)
  15. K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92, 2593 (2002)
  16. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  17. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  18. А.Г. Ждан, Г.В. Чучева, Е.И. Гольдман. ФТП, 40, 195 (2006)
  19. А.Г. Ждан, Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 39, 697 (2005)
  20. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  21. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (N.J., John Willey and Sons, Ins., 2007)
  22. Е.А. Боброва, Н.М. Омельяновская. ФТП. 42, 1380 (2008)
  23. T.P. Ma. Semicond. Sci. Technol., 4, 1061 (1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.