"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/ InAlAs
Васильевский И.С.1,2, Галиев Г.Б.1,2, Климов Е.А.1, Пожела К.3, Пожела Ю.3, Юцене В.3, Сужеделис А.3, Жураускене Н.3, Кершулис С.3, Станкевич В.3
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In0.8Ga0.2As/In0.7Al0.3As с высокой мольной долей In (0.7-0.8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12.3·103 см2·B-1·с-1 при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1.1-1.4 раза при введении тонких (1-3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2.5·107 см/с в электрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля Fth для междолинного Gamma-L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2.5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля Fth в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs.
  1. B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
  2. R. Haupt, L. Wendler. Phys. Rev. B, 44, 1850 (1991)
  3. J. Povzela, A. Namajunas, K. Povzela, V. Juciene. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
  4. M.A. Stroscio, M. Dutta. Phonons in Nanostructures (Cambridge University Press, Cambridge, 2001)
  5. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
  6. Ю. Пожела, К. Пожела, Р. Рагуотис, В. Юцене. ФТП, 45, 778 (2011)
  7. D.R. Anderson, N.A. Zakhleniuk, M. Babiker, B.K. Ridley, C.R. Bennet. Phys. Rev. B, 63, 245 313 (2001)
  8. V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G. Galistu, A. de Visser, G.B. Galiev, S.S. Shirokov, V.G. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 22, 222 (2007)
  9. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40, 1479 (2006)
  10. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
  11. В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
  12. J. Povzela, K. Povzela, A. Shkolnik, A. Suvziedelis, V. Juciene, S. Mikhrin, V. Mikhrin. Phys. Status Solidi C, 6, 2713 (2009)
  13. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю.А. Матвеев, Е.А. Климов, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, Ч. Пашкевич, В. Юцене. ФТП, 44, 928 (2010)
  14. J. Povzela, K. Povzela, V. Juciene, A. Shkolnik. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 025 (2011)
  15. J. Povzela, K. Povzela, A. Suvziedelis, V. Juciene, vC. Pavskevivc. Lithuan. J. Phys., 50, 397 (2010)
  16. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
  17. V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli, P. Victorovitch, G. Hollinger. J. Appl. Phys., 77, 1810 (1995)
  18. M. Tacano, Y. Sugiyama, Y. Takeuchi, Y. Ueno. J. Electron. Mater., 20, 1081 (1991)
  19. K. Onda, A. Fujihara, A. Vakejima, E. Mizuki, T. Nakayama, H. Miyamoto, Y. Ando, M. Kanamori. IEEE Electron. Dev. Lett., 19, 300 (1998)
  20. H. Zhao, Y-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
  21. M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
  22. N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
  23. N. Dyakonova, F. Teppe, J. Lusakowski, W. Knap, M. Levinshtein, A.P. Dmitriev, M. Shur, S. Bollaert, A. Cappy. J. Appl. Phys., 97, 114 313 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.