"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y
Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.2, Соболев М.С.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Представлены результаты расчета ширины запрещенной зоны в твердых растворах GaPxNyAs1-x-y, а также оценочные значения параметра гибридизации зоны проводимости GaP и локализованного уровня азота. Методом фотолюминесценции в диапазоне температур 15--300 K исследованы оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y, синтезированных на поверхности подложки GaP(100). Исследованные гетероструктуры представляют собой квантовые ямы GaP0.814N0.006As0.18 толщиной 5 нм, разделенные барьерными слоями GaP толщиной 5 нм, с различным числом периодов. При оптическом возбуждении структур наблюдается интенсивная линия фотолюминесценции в спектральном диапазоне 620-650 нм. Спектры фотолюминесценции квантовых ям GaP0.814N0.006As0.18/GaP сильно уширены вследствие неоднородности по составу четверного твердого раствора. Установлено, что увеличение числа слоев квантовых ям от 10 до 25 не приводит к деградации фотолюминесцентных свойств гетероструктур. Результаты исследований подтверждают возможность создания эффективных приборов оптоэлектроники на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y.
  1. H. Yonezu. Semicond. Sci. Technol., 17, 762 (2002)
  2. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager III, E.E. Haler, X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
  3. I.A. Buyanova, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 52, 81 (2002)
  4. А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, Е.В. Пирогов, М.М. Павлов. ФТП, 44 (7), 886 (2010)
  5. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82, 1221 (1999)
  6. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Status Solidi B, 223, 75 (2001)
  7. B. Kunert, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 244, 2730 (2007)
  8. R. Kudrawiec. J. Appl. Phys., 101, 116 101 (2007)
  9. J. Chamings, S. Ahmed, A.R. Adams, S.J. Sweeney, V.A. Odnoblyudov, Ch.W. Tu, B. Kunert, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 246, 527 (2009)
  10. А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong. C. Tu. ФТП, 36, 1056 (2002)
  11. E.F. Schubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2007)
  12. Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф. Цацульников, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП. 39, 735 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.