Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Исследовано влияние конструкции метаморфного буфера на морфологию поверхности и на электрофизические свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с содержанием InAs в активном слое от 76 до 100% при использовании подложек GaAs и InP. Показано, что такие параметры, как подвижность и концентрация электронов, а также среднеквадратичная шероховатость поверхности существенно зависят от конструкции метаморфного буфера. Экспериментально установлено, что эти параметры в большей степени зависят от максимального локального градиента параметра решетки метаморфного буфера в направлении роста слоев, чем от среднего его значения. Показано, что подбором конструкции метаморфного буфера возможно создание наноструктурированных поверхностей с крупнопериодическим рельефом.
- A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, K. Shinohara, Y. Yamashita. IEEE Electron. Dev. Lett., 23 (10), 573 (2002)
- A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, K. Shinohara, I. Watanabe, Y. Yamashita. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (5), 241 (2004)
- W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca, P.S. Lyman, A. Torabi, P.F. Marsh, R.A. McTaggart, S.M. Lardizabal, K. Hetzler. J. Vac. Sci. Technol. B, 17(3), 1131 (1999)
- S. Holmes, R.A. Stradling, P.D. Wang, R. Droopad, S.D. Parker, R.L. Williams. Semicond. Sci. Technol., 4 (4), 303 (1989)
- P.D. Wang, S.N. Holmes, Tan Le, R.A. Stradling, I.T. Ferguson, A.G. de Oliveira. Semicond. Sci. Technol., 7, 767 (1992)
- Y. Jeong, H. Choi, T. Suzuki. J. Cryst. Growth, 301--302, 235 (2007)
- T. Ueda, S. Onozawa, M. Akiyama, M. Sakuta. J. Cryst. Growth, 93, 517 (1988)
- C. Harmand, K. Inoue, T. Matsuno. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 2, 28, L1101 (1989)
- C. Harmand, K. Inoue, T. Matsuno. J. Cryst. Growth, 111, 313 (1991)
- P.N. Uppal, D.M. Grill, S.P. Svensson, D.-W. Tu. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1029 (1992)
- Y. Cordier, S. Bollaret, M. Zaknoune, J. Depersio, D. Ferre. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
- S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, V. Hoel, S. Lepilliet, D. Theron, A. Cappy. Solid-State Electron., 44, 1021 (2000)
- J.H. Kim, H.-S. Yoon, J.-H. Lee, W.J. Chang, J.Y. Shim, K.H. Lee, J.-I. Song. Solid-State Electron., 46, 69 (2002)
- W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, S.M. Lardizabal, Y. Zhang, J.H. Jang, I. Adesida, C. Xu, K.C. Hsieh. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
- K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim, J.D. Song, J.Y. Chang. Physica E, 40, 2874 (2008)
- O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Pecz, A.L. Toth. Physica E., 17, 561 (2003)
- Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Ю.Г. Мусихин, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 37, 1127 (2003)
- M. Isler. Solid-State Electron., 46, 585 (2002)
- Kenneth E. Lee, Eugene A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 106, 074 911 (2009)
- Л.П Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1975)
- F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
- I. Tangring, S.M. Wang, M. Sadeghi, Q.F. Gu, A. Larsson. J. Cryst. Growth, 281, 220 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
