"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами
Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.2, Климов Е.А.1,2, Кванин А.Л.1, Пушкарев С.С.1,2, Пушкин М.А.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Исследовано влияние конструкции метаморфного буфера на морфологию поверхности и на электрофизические свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с содержанием InAs в активном слое от 76 до 100% при использовании подложек GaAs и InP. Показано, что такие параметры, как подвижность и концентрация электронов, а также среднеквадратичная шероховатость поверхности существенно зависят от конструкции метаморфного буфера. Экспериментально установлено, что эти параметры в большей степени зависят от максимального локального градиента параметра решетки метаморфного буфера в направлении роста слоев, чем от среднего его значения. Показано, что подбором конструкции метаморфного буфера возможно создание наноструктурированных поверхностей с крупнопериодическим рельефом.
  1. A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, K. Shinohara, Y. Yamashita. IEEE Electron. Dev. Lett., 23 (10), 573 (2002)
  2. A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, K. Shinohara, I. Watanabe, Y. Yamashita. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (5), 241 (2004)
  3. W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca, P.S. Lyman, A. Torabi, P.F. Marsh, R.A. McTaggart, S.M. Lardizabal, K. Hetzler. J. Vac. Sci. Technol. B, 17(3), 1131 (1999)
  4. S. Holmes, R.A. Stradling, P.D. Wang, R. Droopad, S.D. Parker, R.L. Williams. Semicond. Sci. Technol., 4 (4), 303 (1989)
  5. P.D. Wang, S.N. Holmes, Tan Le, R.A. Stradling, I.T. Ferguson, A.G. de Oliveira. Semicond. Sci. Technol., 7, 767 (1992)
  6. Y. Jeong, H. Choi, T. Suzuki. J. Cryst. Growth, 301--302, 235 (2007)
  7. T. Ueda, S. Onozawa, M. Akiyama, M. Sakuta. J. Cryst. Growth, 93, 517 (1988)
  8. C. Harmand, K. Inoue, T. Matsuno. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 2, 28, L1101 (1989)
  9. C. Harmand, K. Inoue, T. Matsuno. J. Cryst. Growth, 111, 313 (1991)
  10. P.N. Uppal, D.M. Grill, S.P. Svensson, D.-W. Tu. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1029 (1992)
  11. Y. Cordier, S. Bollaret, M. Zaknoune, J. Depersio, D. Ferre. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
  12. S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune, H. Happy, V. Hoel, S. Lepilliet, D. Theron, A. Cappy. Solid-State Electron., 44, 1021 (2000)
  13. J.H. Kim, H.-S. Yoon, J.-H. Lee, W.J. Chang, J.Y. Shim, K.H. Lee, J.-I. Song. Solid-State Electron., 46, 69 (2002)
  14. W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, S.M. Lardizabal, Y. Zhang, J.H. Jang, I. Adesida, C. Xu, K.C. Hsieh. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
  15. K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim, J.D. Song, J.Y. Chang. Physica E, 40, 2874 (2008)
  16. O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Pecz, A.L. Toth. Physica E., 17, 561 (2003)
  17. Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Ю.Г. Мусихин, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 37, 1127 (2003)
  18. M. Isler. Solid-State Electron., 46, 585 (2002)
  19. Kenneth E. Lee, Eugene A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 106, 074 911 (2009)
  20. Л.П Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1975)
  21. F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
  22. I. Tangring, S.M. Wang, M. Sadeghi, Q.F. Gu, A. Larsson. J. Cryst. Growth, 281, 220 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.