"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства
Тысченко И.Е.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO2 в зависимости от дозы и энергии ионов N+. Показано, что имплантация ионов азота дозами >3·1015 см-2 с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO2 и удалением связей Si-Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе.
  1. M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
  2. В.А. Гриценко. УФН, 178, 727 (2008)
  3. M.Y. Hao, W.M. Chen, K. Lai, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 66, 1126 (1995)
  4. S.B. Kang, S.O. Kim, J.-S. Byun, H.J. Kim. Appl. Phys. Lett., 65, 2448 (1994)
  5. E.C. Carr, R.A. Buhrman. Appl. Phys. Lett., 63, 54 (1993)
  6. Z.Q. Yao, H.B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 64, 3584 (1994)
  7. W.B. Yi, E.X. Zhang, M. Chen, N. Li, G.Q. Zhang, Z.L. Liu, X. Wang. Semicond. Sci. Technol., 19, 571 (2004)
  8. M.L. Green, D. Brasen, K.W. Evans-Lutterodt, L.C. Feldman, K. Krish, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manhanda, M.-T. Tang. Appl. Phys. Lett., 65, 849 (1994)
  9. S.K. Dixit, S. Dhar, J. Rozen, S. Wang, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, J.R. Williams, L.C. Feldman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 53, 3687 (2006)
  10. C.W. Perkins, K.G. Aubuchon, H.G. Dill. IEEE Trans. Nucl. Sci., S- 15, 176 (1968)
  11. D. Neamen, W. Sheold, B. Buchanau. IEEE Trans. Nucl. Sci., S- 22, 2203 (1975)
  12. P.L.F. Hemment. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 33, 41 (1984)
  13. K.J. Reeson. Nucl. Instrum. Meth. B, 19/20, 269 (1987)
  14. W. Skorupa, K. Wollschlager. Nucl. Instrum. Meth. B, 32, 440 (1988)
  15. K.J. Reeson, P.L.F. Hemment, C.D. Meekison, C.D. Marsh, G.R. Booker, R.J. Chater, J.A. Kilner, J. Davis. Nucl. Instrum. Meth. B, 32, 427 (1988)
  16. A.B. Danilin, K.A. Drakin, V.V. Kukin, A.A. Malinin, V.N. Mordkovich, A.F. Petrov, V.V. Saraykin, O.I. Vyletalina. Nucl. Instrum. Meth. B, 58, 191 (1991)
  17. E. Zhang, W. Yi, J. Chen, Zh. Zhang, X. Wang. Smart Mater. Struct., 14, N 42 (2005)
  18. H.-S. Chen, S.S. Li. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 1740 (1992)
  19. S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and devices (Kluver Academic Publishers, Boston--Dordrecht--London, 1995)
  20. E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., Wiley, 1982)
  21. W.A. Hill, C.C. Coleman. Sol. St. Electron., 23, 987 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.