Вышедшие номера
Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и TlInTe2
Сардарлы Р.М.1, Самедов О.А.1, Абдуллаев А.П.1, Салманов Ф.Т.1, Алекперов О.З.2, Гусейнов Э.К.2, Алиева Н.А.2
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Изучены температурные зависимости электропроводности sigma(T), а также эффекты переключения и памяти в одномерных монокристаллах TlInSe2 и TlInTe2. На зависимости sigma(T) выше температуры 333 K обнаружена особенность, которая связывается с переходом кристаллов в состояние с суперионной проводимостью. Предложенный механизм ионной проводимости связывается с дифузией ионов Tl+ по вакансиям в подрешетке таллия между наноцепочками (nanorods) (In3+Te2-2)- и (In3+Se2-2)-. Обнаружены эффекты S-образного переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и TlInTe2, а также осцилляции напряжения в области отрицательного дифференциального сопротивления. Делается предположение, что эффект переключения и осцилляции напряжения связаны с переходом кристаллов в суперионное состояние, сопровождаемое "плавлением" подрешетки Tl. Обнаружен эффект индуцированного электрическим полем перехода кристаллов TlInSe2 и TlInTe2 в суперионное состояние.