"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs--InGaAs--GaAs
Тихомиров В.Г.1, Малеев Н.А.2,3, Кузьменков А.Г.3,2, Соловьев Ю.В.4, Гладышев А.Г.3,4, Кулагина М.М.2, Земляков В.Е.5, Дудинов К.В.5, Янкевич В.Б.1, Бобыль А.В.2, Устинов В.М.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Научно-производственное предприятие Исток, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Рассмотрены результаты численного моделирования и экспериментального исследования влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs (p-HEMT). Продемонстрирована возможность корректного моделирования статических характеристик реальных приборных конструкций p-HEMT-транзисторов с использованием программного пакета TCAD фирмы SILVACO. Показана принципиальная необходимость использования селективного травления затворной канавки для контролируемого и воспроизводимого получения требуемых приборных характеристик.
  1. M. Malmkvist, S. Wang, J.V. Grahn. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 268 (2008)
  2. H. Brech, T. Grave, T. Simlinger, S. Selberherr. IEEE Trans. Electron. Dev., 44, 1822 (1998)
  3. V. Palankovski, R. Quay, S. Selberherr. IEEE J. Sol. St. Circuits, 36, 1365 (2001)
  4. SIL VACO International, ATLAS user's manual. DEVICE SIMULATION SOFTWARE (Santa Clara, CA, 2008)
  5. В.Е. Земляков, В.А. Красник, В.И. Васильев, С.А. Легенкин, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, В.С. Михрин, В.М. Устинов. Proc. 15 Int. Conf. Microwave \& Telecommunication Technology ( CriMiCo'2005) (Sevastopol, Crimea, Ukraine, Sept. 12--16, 2005)
  6. Е.Ю. Днестранская, К.В. Дудинов, В.Г. Тихомиров, А.М. Емельянов, А.Ю. Городецкий. Матер. IX Всеросс. науч.-техн. конф. "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" (Звенигород, Московская обл., 1--3 декабря 2010)
  7. В.Г. Тихомиров, Н.А. Малеев, В.Б. Янкевич, В.М. Устинов. Матер. XVI координац. науч.-техн. сем. по СВЧ технике (пос. Хахалы, Нижегородская область, 8--10 сентября 2009) с. 67
  8. Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, В.С. Михрин, А.П. Васильев, М.М. Кулагина, В.А. Зелюкина, В.Е. Земляков, А.С. Шуленков. Матер. XV координац. науч.-техн. сем. по СВЧ технике (пос. Хахалы, Нижегородская область, 4--6 сентября 2007) с. 65
  9. R. Menozzi. IEEE Trans. Dev. and Mater. Reliability, 4, 54 (2004)
  10. B. Meinerzhagen, W.L. Engl. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 689 (1988)
  11. S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien, N.Y., Springer-Verlag, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.