Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия

Бордовский Г.А.¹, Гладких П.В.¹, Кожокарь М.Ю.¹, Марченко А.В.¹, Серегин П.П.¹, Теруков Е.И.²

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 апреля 2011 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов ^119mmSn и ¹¹⁹Sn в структуре стекол Ge_xS_1-x и Ge_xSe_1-x, стабилизируются в виде ионов Sn²⁺, Sn⁴⁺ и отвечают ионизованным состояниям амфотерного двухэлектронного центра с отрицательной корреляционной энергией (Sn²⁺ является ионизованным акцептором, а Sn⁴⁺ - ионизованным донором), тогда как нейтральное состояние центра Sn³⁺ оказывается нестабильным. Атомы ¹¹⁹Sn, образующиеся после радиоактивного распада примесных атомов ^119mTe в структуре стекол Ge_xS_1-x и Ge_xSe_1-x, стабилизируются как в узлах халькогенов (они электрически неактивны), так и в узлах германия.

Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)
Г.А. Бордовский, А.В. Марченко. Идентификация U^--центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мессбауэровской спектроскопии. (СПб., Наука, 2010)
Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, Е.И. Теруков, П.П. Серегин, Т.В. Лиходеева. ФТП, 42, 1353 (2008)
Г.А. Бордовский, Е.И. Теруков, Н.И. Анисимова, А.В. Марченко, П.П. Серегин. ФТП, 43, 1232 (2009)
N.P. Seregin, P.P. Seregin, S.A. Nemov, A.Yu. Yanvareva. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 7591 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель