"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H
Авров Д.Д.1, Булатов А.В.1, Дорожкин С.И.1, Лебедев А.О.2, Таиров Ю.М.1, Фадеев А.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001)С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>1100 для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см-2 и практически не изменяется при увеличении размера слитков.
  1. C.H. Carter, jr., R. Glass, M. Brady, D. Malta, D. Henshall, S. Muller, V. Tsvetkov, D. Hobgood, A. Powell. Mater. Sci. Forum, 353--356, 3 (2001)
  2. X. Ma. J. Appl. Phys., 99, 063 513 (2006)
  3. Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.Ю. Фадеев. Сб. докл. Всеросс. конф. Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" (Махачкала, 2009) с. 29
  4. C. Basceri, Yu. Khlebnikov, I. Khlebnikov, C. Balkas, N. Silan Murat, H.M. Hobgood, C.H. Carter, V. Balakrishna, R.T. Leonard, A.R. Powell, V. Tsvetkov, J.R. Jenny. Patent W02008033994 (2008)
  5. R.C. Glass, L.O. Kjellberg, V.F. Tsvetkov, J.E. Sundgren, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 132, 504 (1993)
  6. S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Cryst. Growth, 220, 308 (2000)
  7. M. Katsuno, N. Ohtani, T. Aigo, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, M. Kanaya. J. Cryst. Growth, 216, 256 (2000)
  8. M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 75, 784 (1999)
  9. Ж. Фридель. Дислокации (М., Мир, 1967)
  10. P. Pirouz. Phys. Mag. A, 78, 727 (1998)
  11. S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Electron. Mater., 29, L5 (2000)
  12. Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.С. Трегубова, А.Ю. Фадеев. ФТП, 43 (9), 1288 (2009)
  13. Д.Д. Авров, А.И. Булатов, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров. ФТП, 42 (12), 1483 (2008)
  14. N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectron. Engin., 83, 142 (2006)
  15. M. Syvajarvi, R. Yakimova, A.-L. Hylen, E. Janzen. J. Phys.: Condens. Metter, 11, 10 041 (1999)
  16. D. Nakamura, S. Yamaguchi, I. Gunjishima, Y. Hirose, T. Kimoto. J. Cryst. Growth, 304, 57 (2007)
  17. Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983)
  18. A. Powell, J. Jenny, S. Muller, H. McD. Hobgood, V. Tsvetkov, R. Lenoard, C. Carter, jr. J. High Speed Electron. Syst., 16 (3), 751 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.