Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001)С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>1100 для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см^-2 и практически не изменяется при увеличении размера слитков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.