Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 28 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой ~1.1 эВ. Прямые вольт-амперные характеристики в диапазоне температур 295-470 K оказались близкими к "идеальным". Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 2 кВ в диапазоне температур 361-470 K хорошо описываются в модели термоэлектронной эмиссии, если дополнительно учесть понижение высоты барьера с ростом изгиба зон в полупроводнике.
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 680 (2010)
- R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
- F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
- П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., 1982)
- Н.С. Card, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
