"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Семенов Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой ~1.1 эВ. Прямые вольт-амперные характеристики в диапазоне температур 295-470 K оказались близкими к "идеальным". Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 2 кВ в диапазоне температур 361-470 K хорошо описываются в модели термоэлектронной эмиссии, если дополнительно учесть понижение высоты барьера с ростом изгиба зон в полупроводнике.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
  2. П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 680 (2010)
  3. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
  4. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  5. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  6. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., 1982)
  7. Н.С. Card, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.