"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Бойко В.М.1, Веревкин С.С.1, Колин Н.Г.1, Корулин А.В.1, Меркурисов Д.И.1, Поляков А.Я.2, Чевычелов В.А.1
1Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2Гиредмет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов (Phi==1.5·1017-8·1019 см-2) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000oC на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al2O3. Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1-2)·1018 см-2 удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 1010 Ом·см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2·106 Ом·см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c с ростом флюенса нейтронов до 8·1019 см-2 увеличивается на 0.38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000oC не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала.
  1. Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 6, 12 (2003)
  2. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, M.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, M. Skowronskii, In-Hwan Lee. Physica B, 376- 377, 523 (2006)
  3. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko. J. Appl. Phys., 98, 033529-1 (2005)
  4. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (3), 1094 (2006)
  5. V.M. Boyko, V.T. Bublik, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova. Physica B, 373, 82 (2006)
  6. K. Kuriyama, T. Tokumasu, H. Sano, M. Okada. Sol. St. Commun., 131, 31 (2004)
  7. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 25 (2), 436 (2007)
  8. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП, 43 (10), 1312 (2009)
  9. В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35 (12), 1423 (2001)
  10. I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, 18 (1997)
  11. K.H. Cheng, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 85 (13), 2761 (2000)
  12. H. Wang, A.B. Chen. J. Appl. Phys., 87, 7859 (2000)
  13. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука. Сиб. отд-ние, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.