Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анодные пленки Ga2O3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
Представлены результаты исследования воздействия кислородной плазмы на пленки оксида галлия, полученные электрохимическим окислением пластин n-GaAs с концентрацией донорной примеси Nd=(1-2)·1016 см-3. Показано, что обработка пленок в кислородной плазме при температуре 50-90oC приводит к увеличению концентрации кристаллитов beta-фазы, что вызывает повышение относительной диэлектрической проницаемости, снижение тангенса угла диэлектрических потерь и изменение электропроводности структур GaAs-<оксид галлия>-металл.
- X. Li, C. Xia, X. He, G. Pei, J. Zhang, J. Xu. Chinese Optics Lett., 6 (4), 282 (2008)
- J. Hao, Z. Lou, I. Renaud, M. Cocivera. Thin Sol. Films, 467, 182 (2004)
- P. Wellenius, A. Suresh, J.F. Foreman, H.O. Everitt, J.F. Muth. Mater. Sci. Engin. B, 146, 252 (2008)
- T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L524 (2000)
- T. Miyata, N. Toshikuni, T. Minami. Thin Sol. Films, 373, 145 (2000)
- T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami. Superficies y Vacio, 9, 70 (1999)
- M. Passlack, E.F. Shubert, W.S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S.N.G. Chu, K. Konstadinidis, J.P. Mannaerts, M.L. Schnoes, G.J. Zydzik. J. Appl. Phys., 7, 688 (1995)
- M. Ogita, K. Kobayashi, Y. Yamada, Y. Nakanashi, Y. Hatanaka. Indust. J. Appl. Phys., 1, 137 (2001)
- В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Изд. "Химия", Л., 1978)
- D.J. Fu, Y.H. Kwon, T.W. Kang, C.J. Park, K.H. Baek, H.Y. Cho, D.H. Shin. Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002)
- Y. Nakano, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
- Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Appl. Phys. Lett., 64, 2715 (1994)
- J.-T. Yan, C. T. Lee. Sensors Actuators B, 143, 192 (2009)
- M. Passlack, M. Hong, E.F. Shubert, J.R. Kwo, J.P. Mannaerts, S.N.G. Chu, N. Moriya, F.A. Thiel. Appl. Phys. Lett., 66 (5), 625 (1995)
- J.G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25 (10), 3787 (2008)
- T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami. J. Luminesc., 87--89, 1183 (2000)
- T. Minami, Y. Kuroi, H. Yamada, S. Takata, T. Miyata. J. Luminesc., 72--74, 997 (1997)
- S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho. Integr. Ferroelectr., 74, 173 (2005)
- К.И. Валиев, А.Н. Зарубин, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. Изв. вузов. Физика, 53 (9/2), 301 (2010)
- А.Н. Зарубин, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 44 (9), 1266 (2010)
- О.В. Анисимов, Н.К. Максимова, В.С. Кучерявенко, В.А. Новиков, Е.Ю. Севастьянов, Н.В. Сергейченко, Л.С. Хлудкова, Е.В. Черников. Изв. вузов. Физика, 53 (9/2), 349 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
