"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях
Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

С помощью специальной экспериментальной методики, позволяющей исключить влияние различий источников, кристаллов-подложек и параметров ростового процесса, проведено корректное сравнение качества гомоэпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом сублимации на Al- и N-поверхностях кристалла-подложки, имеющего ориентацию < 0001>. Установлено, что в большинстве случаев качество слоев, выращенных на N-поверхности несколько выше, однако в отдельных случаях никакого различия не наблюдалось. Отсюда можно заключить, что окно параметров ростового процесса для N-стороны существенно больше, чем для Al-стороны.
  1. B.M. Epelbaum, C. Seitz, A. Magerl, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 265, 577 (2004)
  2. Z.G. Herro, D. Zhuang, R. Schlesser, R. Collazo, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 286, 205 (2006)
  3. E.N. Mokhov, O.V. Avdeev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova, A.D. Roenkov, A.S. Segal, A.A. Wolfson, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, H. Helava. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.