Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье показаны различия в электронном строении и в составе образцов пористого кремния, полученных при одинаковом режиме электрохимического травления на наиболее распространенных подложках n- и p-типа различной проводимости. Показано, что значительно большее окисление и насыщение водородом наблюдается для пористого слоя, полученного на подложках n-типа.
- M. Foll, J. Christophersen. Mater. Sci. Engin. R. 39, 93 (2002)
- V. Starkov, E. Gavrilin, A. Vyatkin et. al. Proc. SPIE Micro- and Nanoelectronics-2003 (eds Maay. 2004). V. 5401, p. 225
- M. Rocchia, E. Garrone, L. Geobaldo, M.J. Sailor. Phys. Status. Solidi. R 2 (197), 365 (2003)
- D. Song, N. Tokranova, A. Gracias, J. Castracane. Micro/Nanolith., MEMS MOEMS, 7, 021 013 (2008)
- Nomenclature of structural and Compositional Characteristics of Ordered Microporous and Mesoporous Materials with Inorganic hosts (IUPAC Reccomendations, 2001). Pure Appl. Chem., 73 (2), 381 (2001)
- E.P. Domashevskaya et. al. J. Electr. Spectr. and Rel. Phen., 88--91, 969 (1998)
- В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин. Изв. РАН. Сер. физ., 72 (4), 484 (2008)
- V.M. Kashkarov, I.V. Nazarikov, A.S. Lenshin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, B.L. Agapov, K.N. Pankov, E.P. Domashevskaya. Phys. Status Solidi C, 6 (7), 1557 (2009)
- Yu. Turishchev, A.S. Lenshin, E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, K.N. Pankov, and D.A. Khoviv. Phys. Status Solidi C, 6 (7), 1651 (2009)
- Н.В. Соцкая, О.В. Долгих, В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, Е.А. Котлярова. Сорбционные и хроматографические процессы, 9 (5), 63 (2009)
- Ю.М. Канагеева, А.Ю. Савенко, В.В. Лучинин и др. Петербург, журн. электроники, 1, 35 (2007)
- М.А. Румш, А.П. Лукирский, В.Н. Щемелов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 25 (8), 1060 (1961)
- В.А. Немошкаленко. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии (Киев, Наук. думка, 1974)
- Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия (Л., Изд-во ЛГУ, 1971)
- Э.П. Домашевская и др. ФТТ, 46 (2), 335 (2004)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- E.H. Nicollian. MOS (metal--oxide--semiconductor) physics and technology (N. Y., Wiley, 1984)
- Г.-У. Гремлих. Язык ИК спектров. 2-е перераб. изд. (ООО "Брукер Оптик", 2002)
- V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (Wiley Interscience, A John Wiley\&Sons, Inc., 2003)
- А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ФТП, 31 (5), 556 (1997)
- T.Ya. Gorbachy. Semicond. Sci. Technol., 11, 601 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
