"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
Леньшин А.С.1, Кашкаров В.М.1, Середин П.В.1, Спивак Ю.М.1, Мошников В.А.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения и инфракрасной спектроскопии с преобразованием Фурье показаны различия в электронном строении и в составе образцов пористого кремния, полученных при одинаковом режиме электрохимического травления на наиболее распространенных подложках n- и p-типа различной проводимости. Показано, что значительно большее окисление и насыщение водородом наблюдается для пористого слоя, полученного на подложках n-типа.
  1. M. Foll, J. Christophersen. Mater. Sci. Engin. R. 39, 93 (2002)
  2. V. Starkov, E. Gavrilin, A. Vyatkin et. al. Proc. SPIE Micro- and Nanoelectronics-2003 (eds Maay. 2004). V. 5401, p. 225
  3. M. Rocchia, E. Garrone, L. Geobaldo, M.J. Sailor. Phys. Status. Solidi. R 2 (197), 365 (2003)
  4. D. Song, N. Tokranova, A. Gracias, J. Castracane. Micro/Nanolith., MEMS MOEMS, 7, 021 013 (2008)
  5. Nomenclature of structural and Compositional Characteristics of Ordered Microporous and Mesoporous Materials with Inorganic hosts (IUPAC Reccomendations, 2001). Pure Appl. Chem., 73 (2), 381 (2001)
  6. E.P. Domashevskaya et. al. J. Electr. Spectr. and Rel. Phen., 88--91, 969 (1998)
  7. В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин. Изв. РАН. Сер. физ., 72 (4), 484 (2008)
  8. V.M. Kashkarov, I.V. Nazarikov, A.S. Lenshin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, B.L. Agapov, K.N. Pankov, E.P. Domashevskaya. Phys. Status Solidi C, 6 (7), 1557 (2009)
  9. Yu. Turishchev, A.S. Lenshin, E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, V.A. Terekhov, K.N. Pankov, and D.A. Khoviv. Phys. Status Solidi C, 6 (7), 1651 (2009)
  10. Н.В. Соцкая, О.В. Долгих, В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, Е.А. Котлярова. Сорбционные и хроматографические процессы, 9 (5), 63 (2009)
  11. Ю.М. Канагеева, А.Ю. Савенко, В.В. Лучинин и др. Петербург, журн. электроники, 1, 35 (2007)
  12. М.А. Румш, А.П. Лукирский, В.Н. Щемелов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 25 (8), 1060 (1961)
  13. В.А. Немошкаленко. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии (Киев, Наук. думка, 1974)
  14. Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия (Л., Изд-во ЛГУ, 1971)
  15. Э.П. Домашевская и др. ФТТ, 46 (2), 335 (2004)
  16. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  17. E.H. Nicollian. MOS (metal--oxide--semiconductor) physics and technology (N. Y., Wiley, 1984)
  18. Г.-У. Гремлих. Язык ИК спектров. 2-е перераб. изд. (ООО "Брукер Оптик", 2002)
  19. V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (Wiley Interscience, A John Wiley\&Sons, Inc., 2003)
  20. А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ФТП, 31 (5), 556 (1997)
  21. T.Ya. Gorbachy. Semicond. Sci. Technol., 11, 601 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.