Спектры оптических параметров в массивных и пленочных аморфных твердых растворах системы Se95As5, содержащих примеси самария (Sm)
Джалилов Н.З.1, Дамиров Г.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Исследованы спектры отражения массивных и пленочных аморфных твердых растворов системы Se95As5, содержащих примеси самария (Sm) в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса-Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от содержания введенных в Se95As5 примесей и условия их приготовления объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний при этом зависят от характера изменения конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменения характера ближнего порядка.
- А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
- K. Shimakawa, A. Kolobov. Adv. Phys., 44, 537 (1995)
- K.L. Bhatia, G. Partasarathy, E.S.P. Gopal. J. Non-Cryst. Sol., 69, 189 (1985)
- S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1988)
- A.F. Maget, L.A. Wahab, I.A. El Kholy. J. Mater. Sci., 33, 3331 (1998)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- С.В. Свечников, В.В. Химинец, Н.И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Киев, Наук. думка, 1992)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- I. Robertson. Adv. Phys., 32, 361 (1983)
- С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина. Стеклообразование (М., Наука, 1990)
- А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov. Sol. St. Commun., 149, 45 (2009)
- В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
- Оптические свойства полупроводников, под ред. Г. Бира (М., ИЛ, 1970)
- Н.З. Джалилов. Тр. X Межд. конф. "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", Ульяновск (2008) с. 46
- Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. Тр. X Межд. конф. "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", Ульяновск (2008) с. 45
- Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 45, 500 (2011)
- Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXVIII (N 5), 134 (2008); Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXIX (N 5), 125 (2009)
- Н.З. Джалилов, М.А. Махмудова. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXX (N 5), 71 (2010)
- Н.З. Джалилов, С.И. Мехтиева, Н.М. Абдуллаев. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXVII (N 5), 114 (2007)
- J.C. Phillips. Phys. Rev., 125, 1931 (1962); Phys. Rev., 133, A452 (1964)
- Т. Мосс, Н. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1976)
- Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ЖСХ, 27 (N 6), 146 (1986)
- К.К. Шварц, Ю.Н. Шунин, Я.А. Тетерис. Изв. АН ЛатССР. Сер. физ. и техн. наук, N 4, 52 (1987)
- K.K. Shvarts, F.V. Pirgorov, Yu.N. Shunin. J.A. Teteris. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater, 17, 133 (1987)
- Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ФТП, 23 (6), 1049 (1989)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov. Optoelectron. and Adv. Mater. Rapid Commun., 1 (8), 368 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук