"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры оптических параметров в массивных и пленочных аморфных твердых растворах системы Se95As5, содержащих примеси самария (Sm)
Джалилов Н.З.1, Дамиров Г.М.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Исследованы спектры отражения массивных и пленочных аморфных твердых растворов системы Se95As5, содержащих примеси самария (Sm) в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса--Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от содержания введенных в Se95As5 примесей и условия их приготовления объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний при этом зависят от характера изменения конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменения характера ближнего порядка.
  1. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  2. K. Shimakawa, A. Kolobov. Adv. Phys., 44, 537 (1995)
  3. K.L. Bhatia, G. Partasarathy, E.S.P. Gopal. J. Non-Cryst. Sol., 69, 189 (1985)
  4. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1988)
  5. A.F. Maget, L.A. Wahab, I.A. El Kholy. J. Mater. Sci., 33, 3331 (1998)
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  7. С.В. Свечников, В.В. Химинец, Н.И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Киев, Наук. думка, 1992)
  8. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  9. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  10. I. Robertson. Adv. Phys., 32, 361 (1983)
  11. С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина. Стеклообразование (М., Наука, 1990)
  12. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
  13. A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov. Sol. St. Commun., 149, 45 (2009)
  14. В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  15. Оптические свойства полупроводников, под ред. Г. Бира (М., ИЛ, 1970)
  16. Н.З. Джалилов. Тр. X Межд. конф. "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", Ульяновск (2008) с. 46
  17. Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. Тр. X Межд. конф. "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", Ульяновск (2008) с. 45
  18. Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 45, 500 (2011)
  19. Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXVIII (N 5), 134 (2008); Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXIX (N 5), 125 (2009)
  20. Н.З. Джалилов, М.А. Махмудова. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXX (N 5), 71 (2010)
  21. Н.З. Джалилов, С.И. Мехтиева, Н.М. Абдуллаев. Изв. НАН Азерб. Сер. физ.-мат. и техн., физ. и астр., XXVII (N 5), 114 (2007)
  22. J.C. Phillips. Phys. Rev., 125, 1931 (1962); Phys. Rev., 133, A452 (1964)
  23. Т. Мосс, Н. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
  24. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1976)
  25. Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ЖСХ, 27 (N 6), 146 (1986)
  26. К.К. Шварц, Ю.Н. Шунин, Я.А. Тетерис. Изв. АН ЛатССР. Сер. физ. и техн. наук, N 4, 52 (1987)
  27. K.K. Shvarts, F.V. Pirgorov, Yu.N. Shunin. J.A. Teteris. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater, 17, 133 (1987)
  28. Ю.Н. Шунин, К.К. Шварц. ФТП, 23 (6), 1049 (1989)
  29. A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov. Optoelectron. and Adv. Mater. Rapid Commun., 1 (8), 368 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.