"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
Кудряшов Д.А.1, Гудовских А.С.1,2, Никитина Е.В.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Проведен расчет конструкции двух и трех переходных солнечных элементов на основе GaPNAs/Si решеточно-согласованных гетероструктур. Показано, что двухпереходные солнечные элементы, состоящие из перехода на основе твердого раствора GaPNAs с шириной запрещенной зоны 1.78 эВ и перехода на основе Si, могут достигать кпд 30.3% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 35.4 % при AM1.5D 20 Вт/см2. Максимальные значения кпд трехпереходного солнечного элемента, состоящего из верхнего и среднего перехода на основе GaPNAs с Eg 2 и 1.5 эВ соответственно и нижнего перехода на основе Si, составляют 39.2% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 44.5% при AM1.5D 50 Вт/см2. Показано влияние толщины и времени жизни неосновных носителей заряда фотоактивных слоев на эффективность преобразования солнечной энергии разрабатываемых гетероструктур.
  1. J.M. Olson, D.J. Friedman, Sarah Kurtz. High-Efficiency III-V Multijunction Solar Cells Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (N.Y., John Wiley \& Sons, Ltd, 2003)
  2. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson et al. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
  3. M.A. Green. Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006) p. 15
  4. J.F. Geisz, D.J. Friedman, S.R. Kurtz. Proc 29th IEEE PVSC (New Orleans, LA, 2002) p. 864
  5. M. Henini. Dilute nitride semiconductors (UK, Elsevier, 2005)
  6. J.F. Geisz, D.J. Friedman. Semicond. Sci. Technol., 17, 769 (2002)
  7. M. Gungerich, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, A. Lindsay, C. Harris, E.P. O'Reilly. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems (Germany, Springer, 2008)
  8. G. Biwa et al. J. Cryst. Growth, 195, 574, (1998)
  9. K. Ikeda, H. Xiuxun, B. Boussairi, Y. Ohshita. Solar Cells --- Research and Application Perspectives (Croatia, InTech, 2013)
  10. T. Mishima, M. Taguchi, H. Sakata, E. Maruyama. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 95, 18, (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.