"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке
Осипов К.Ю.1, Великовский Л.Э.2, Кагадей В.А.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Исследованы закономерности формирования омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN, выращенной на подложке из полуизолирующего Si (111). Установлены зависимости контактного сопротивления от толщины слоев Al (90, 120, 150, 180 нм) и Ti (15, 30 нм), а также оптимальные температурно-временные режимы отжига для каждого из изученных вариантов металлизации. Показано, что при увеличении толщины слоя Al от 90 до 180 нм и неизменных толщинах слоев Ta, Ti, Mo, Au минимально достижимое контактное сопротивление монотонно увеличивалось от 0.43 до 0.58 Ом · мм. Изменение толщины слоя Ti от 15 до 30 нм не оказало существенного влияния на минимальную величину приведенного контактного сопротивления. Наименьшее контактное сопротивление, равное 0.4 Ом · мм, было достигнуто при использовании слоев Ta/Ti/Al/Mo/Au с толщинами 10/15/90/40/25 нм соответственно. Оптимальная температура отжига для данного варианта металлизации составила 825oC при длительности процесса 30 с. Полученные омические контакты имели ровный край контактных площадок и гладкую морфологию их поверхности.
  1. F.M. Mohammed, L.K. Wang, J. Hyung, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 033 708 (2007)
  2. F. Cayrel, O. Menard, A. Yvon, N. Thierry-Jebali, C. Brylinsky, E. Collard, D. Alquier. Phys. Status Solidi A, 209 (6), 1059 (2012)
  3. H.P. Xin, S.Poust, W. Sutton. CS MANTECH Conf. Proc. (Portland, Oregon, USA, 2010)
  4. V. Tilak, R. Dimitrov, M. Murphy, B. Green, J. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (San Francisco, CA, USA, 2000)
  5. F.A. Faria, J. Guo, P. Zhao, G. Li, P.K. Kandaswamy, M. Wistey, H.(G.) Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 101, 032 109 (2012)
  6. C.K. Wang, Nam-Young. Nanoscale Res. Lett., 7, 107 (2012)
  7. F.M. Mohammed, L.K. Wang, S. Liang, H.H. Deepak, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (3), 2330 (2005)
  8. K.H. Kim, C.M. Jeon, S.H. Oh, J.L. Lee, C.G. Park. J. Vac. Sci. Technol. B, 23 (1), 322 (2005)
  9. B.V. Daele, G.V. Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn, M.R. Leys, M. Germain. Appl. Phys. Lett., 87, 061 905 (2005)
  10. L.K. Wang, F.M. Mohammed, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 013 702 (2007)
  11. L.K. Wang, F.M. Mohammed, I. Adesida. J. Appl. Phys., 103, 093 516 (2008)
  12. Y. Sun, L.F. Eastman. J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (6), 2723 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.