"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке
Осипов К.Ю.1, Великовский Л.Э.2, Кагадей В.А.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Исследованы закономерности формирования омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN, выращенной на подложке из полуизолирующего Si (111). Установлены зависимости контактного сопротивления от толщины слоев Al (90, 120, 150, 180 нм) и Ti (15, 30 нм), а также оптимальные температурно-временные режимы отжига для каждого из изученных вариантов металлизации. Показано, что при увеличении толщины слоя Al от 90 до 180 нм и неизменных толщинах слоев Ta, Ti, Mo, Au минимально достижимое контактное сопротивление монотонно увеличивалось от 0.43 до 0.58 Ом · мм. Изменение толщины слоя Ti от 15 до 30 нм не оказало существенного влияния на минимальную величину приведенного контактного сопротивления. Наименьшее контактное сопротивление, равное 0.4 Ом · мм, было достигнуто при использовании слоев Ta/Ti/Al/Mo/Au с толщинами 10/15/90/40/25 нм соответственно. Оптимальная температура отжига для данного варианта металлизации составила 825oC при длительности процесса 30 с. Полученные омические контакты имели ровный край контактных площадок и гладкую морфологию их поверхности.
  • F.M. Mohammed, L.K. Wang, J. Hyung, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 033 708 (2007)
  • F. Cayrel, O. Menard, A. Yvon, N. Thierry-Jebali, C. Brylinsky, E. Collard, D. Alquier. Phys. Status Solidi A, 209 (6), 1059 (2012)
  • H.P. Xin, S.Poust, W. Sutton. CS MANTECH Conf. Proc. (Portland, Oregon, USA, 2010)
  • V. Tilak, R. Dimitrov, M. Murphy, B. Green, J. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (San Francisco, CA, USA, 2000)
  • F.A. Faria, J. Guo, P. Zhao, G. Li, P.K. Kandaswamy, M. Wistey, H.(G.) Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 101, 032 109 (2012)
  • C.K. Wang, Nam-Young. Nanoscale Res. Lett., 7, 107 (2012)
  • F.M. Mohammed, L.K. Wang, S. Liang, H.H. Deepak, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (3), 2330 (2005)
  • K.H. Kim, C.M. Jeon, S.H. Oh, J.L. Lee, C.G. Park. J. Vac. Sci. Technol. B, 23 (1), 322 (2005)
  • B.V. Daele, G.V. Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn, M.R. Leys, M. Germain. Appl. Phys. Lett., 87, 061 905 (2005)
  • L.K. Wang, F.M. Mohammed, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 013 702 (2007)
  • L.K. Wang, F.M. Mohammed, I. Adesida. J. Appl. Phys., 103, 093 516 (2008)
  • Y. Sun, L.F. Eastman. J. Vac. Sci. Technol. B, 24 (6), 2723 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.