"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN.
Лазаренко А.А.1, Никитина Е.В.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Экспериментальные образцы полупроводниковых гетероструктур cо слоями GaP1-xNx и квантовыми ямами In1-x-yGaPyNx и GaPyNxAs1-x-y синтезированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaP (001). В ходе выполнения работы методом рентгеновской дифракции исследовались структурные свойства образцов и определялась мольная доля азота x в слоях GaP1-xNx. Для сопоставления структурных и оптических свойств образцов были проведены исследования фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP1-xNx и гетероструктур с квантовыми ямами InGaPN и GaPAsN с барьерными слоями GaPN. Результаты исследования образцов GaP1-xNx методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции сравниваются со значениями параметров образцов, рассчитанными с использованием модели гибридизации зон ("band anticrossing model" или BAC-модель). На основе результатов экспериментов и расчетов, выполненных в настоящей работе, мы приходим к выводу, что параметр гибридизации не является постоянной величиной, а зависит от мольной доли азота.
  1. M. Kuno, T. Sanada, H. Nobuhara, M. Makiuchi, T. Fujii, O. Wada, T. Sakurai. Appl. Phys. Lett., 49, 1575 (1986)
  2. Jun Shibata, Takao Kajiwara. Optical and Quant. Electron., 20, 363, (1988)
  3. Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara. Monolithic integration of light-emitting devices and silicon transistors (SPIE Newsroom, 2007)
  4. B. Kunert, S. Reinhard, J. Koch, M. Lampalzer, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi C, 3 (3), 614 (2006)
  5. S.Y. Moon, H. Yonezu, Y. Furukawa, Y. Morisaki, S. Yamada, A. Wakahara. Phys. Status Solidi A, 204 (6), 2082 (2007)
  6. Y. Fujimoto, H. Yonezu, A. Utsumi, K. Momose, Y. Furukawa. Appl. Phys. Lett., 79 (9), 1306 (2001)
  7. H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 310, 4757 (2008)
  8. Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara, S. Ishiji, S.Y. Moon, Y. Morisaki. J. Cryst. Growth, 300, 172 (2007)
  9. О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
  10. А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, М.С. Соболев. ФТП, 45 (9), 1209 (2011)
  11. B. Kunert, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 244, 2730 (2007)
  12. A. Utsumi et al. Phys. Status Solidi C, 0 (7) 1023 (2003)
  13. J. Chamings, S. Ahmed, S.J. Sweeney. Appl. Phys. Lett., 92, 021 101 (2008)
  14. В.А. Одноблюдов, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов. ФТП, 35 (5), 978 (2001)
  15. M. Henini. Dilute Nitride Semiconductors. Elsevier B.V., ch. 14, (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.