"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение двухслойных структур "композит на изоляторе" на основе пористого кремния и SnOx, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств
Болотов В.В.1, Росликов В.Е.1, Росликова Е.А.1, Ивлев К.Е.1, Князев Е.В.1, Давлеткильдеев Н.А.1
1Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (до г. Омский филиал ИФП СО РАН), Омск, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Цель данной работы --- создание и исследование многослойных сенсорных структур "композит на изоляторе" на основе пористого кремния и нестехиометрического оксида олова. Были получены двухслойные структуры: "макропористый кремний--мезопористый кремний" на монокристаллическом кремнии с резкими геометрическими границами. Созданы тестовые структуры "композит-на-изоляторе", где изолятором являются окисел на стенках макропористого кремния и захороненный слой окисленного мезопористого кремния, а чувствительным слоем --- нестехиометрический оксид олова, осажденный на развитую поверхность окисленного макропористого кремния из парогазовой фазы (CVD-метод). Газовая чувствительность исследовалась при экспозиции в NO2 и дегазации на воздухе при комнатной температуре. Чувствительность композитных структур por-Si/SnOx превышает чувствительность пленочных образцов оксида олова.
  • K. Kalantar-zadeh, B. Fry. Nanotechnology-Enabled Sensors (Springer Science + Business Media, 2008)
  • W. Gopel, K.D. Schierbaum. Sensors Actuators B, 26--27, 1 (1995)
  • В.Г. Петрук, А.Г. Кравец. ЖТФ, 77 (2), 86 (2007)
  • J.R. Brown, P.W. Haycock, L.M. Smith, A.C. Jones, E.W. Williams. Sensors Actuators B, 63, 109 (2000)
  • V. Simakov, A. Voroshilov, A. Grebennikov, N. Kucherenko, O. Yakusheva, V. Kisin. Sensors Actuators B, 137, 456 (2009)
  • N. Barsan, M. Schweizer-Berberich, W. Gopel. J. Anal. Chem., 365: 287-304 (1999)
  • S. Borini. J. Appl. Phys., 102, 093 709 (2007)
  • В.В. олотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, Ю.А. Стенькин, Р.В. Шелягин, Е.В. Князев, В.Е. Кан, И.В. Пономарева. ФТП, 45, 702 (2011)
  • В.В. Болотов, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, О.В. Кривозубов, Ю.А. Стенькин, Д.В. Чередов. ФТП, 46, 109 (2012)
  • H. Fujiwara. Spectroscopic ellipsometry: principles and applications (Chichester, John Wiley \& Sons Ltd, 2007) p. 177
  • О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 45 (4), 474 (2011)
  • E.V. Astrova, T.N. Borovinskaya, A.V. Tkachenko, S. Balakrishnan, T.S. Perova, A. Rafferty, Y.K. Gun'ko. J. Micromech. Microeng. 14, 1022 (2004)
  • E.K. Propst, P.A. Kohl. J. Electrochem. Soc., 141, 1006 (1994)
  • А.Г. Хохлов и др. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 12, 90 (2008)
  • E.K. Squire, P.A. Snow, P.St.J. Russell, L.T. Canham, A.J. Simons, C.L. Reeves D.J. Wallis. J. Porous Mater., 7, 209 (2000)
  • P. Steiner, F. Kozlowski, W. Lang. Appl. Phys. Lett., 62, 2700 (1993)
  • Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов, А.Г. Забродский. Альтернативная энергетика и экология, 46 (2), 54 (2007)
  • X.G. Zhang. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide (Kluwer Academic Publishers, N.Y., 2001)
  • V. Lehmann, S. Ronnebeck. J. Electrochem. Soc., 146 (8), 2968 (1999)
  • Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34 (9), 1130 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.