"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры Si1-xGex/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
Денисов С.А.1,2, Матвеев С.А.1, Чалков В.Ю.1, Шенгуров В.Г.1,2, Дроздов Ю.Н.1, Степихова М.В.2, Шенгуров Д.В.2, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Продемонстрирован рост гетероструктур со слоями Si1-xGex на подложках сапфира (1102) при использовании метода молекулярно-пучковой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым (GeH4) источником германия. Систематические исследования влияния температуры подложки и толщины буферного слоя кремния показали, что успешный рост эпитаксиальных слоев Si1-xGex происходит при TS= 375-400oC. Имеются значительные различия в ориентации слоев Si1- xGex в зависимости от толщины буферного слоя Si: d ≥ 100 нм. Они имеют ориентацию (100), а при более тонких --- (110). Гетероструктуры с толстыми (~1 мкм) слоями Si1-xGex, легированными атомами эрбия, характеризуются интенсивной фотолюминесценцией на lambda = 1.54 мкм.
  1. K. Ismail. IEDM Techn. Digest., 509 (1995)
  2. U. Konig, M. Gluck, G. Hock. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2609 (1998)
  3. S.J. Koester, R. Hammond, J.O. Chu, P.M. Mooney, J.A. Ott, L. Perraud, K.A. Jenkins, C.S. Webster, I. Lagnado, P.R. de la Houssaye. IEEE Electron. Dev. Lett., 22 (2), 92 (2001)
  4. P.M. Mooney, J.O. Chu, J.A. Ott. J. Electron. Mater., 29 (7), 921 (2000)
  5. J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
  6. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35 (8), 954 (2001)
  7. R.A. Soref, F. Namavar, J.P. Lorenzo. Optics Lett., 15, 270 (1990)
  8. F. Namavar, R.A. Soref. J. Appl. Phys., 70, 3370 (1991)
  9. M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
  10. М.В. Степихова, Д.М. Жигунов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, В.Ю. Чалков, С.П. Светлов, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, З.Ф. Красильник. Письма ЖЭТФ, 81, 614 (2005)
  11. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Cер. физ., 65 (2), 204 (2001)
  12. Л.В. Красильникова, М.В. Степихова, Н.А. Байдакова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ФТП, 43 (7), 909 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.