"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние особенностей технологии получения поликристаллического CdTe на проводимость и спектр глубоких уровней после отжига
Боброва Е.А.1, Клевков Ю.В.1, Черноок С.Г.1,2, Сентюрина Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Научный центр волоконной оптики Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Исследовалась проводимость, морфология и глубокие уровни в поликристаллическом CdTe. Нелегированный p-CdTe был выращен из паровой фазы низкотемпературными методами прямой химической реакции Cd и Te и вакуумной сублимации соединения состава Pmin. Выращен также CdTe, легированный хлором. Образцы имели удельное сопротивление ~105-109 Ом·см. После отжига в жидком кадмии или в парах кадмия при ~500oC тип проводимости изменялся, концентрация свободных носителей в нелегированных образцах увеличивалась до 4·1015, в легированном --- до ~2·1016 см-3. Для всех образцов в спектрах DLTS после отжига наблюдался основной уровень дефекта ~0.84 эВ и непрерывный фон. Наблюдалась корреляция между концентрациями основного дефекта и свободных носителей в нелегированном и легированном CdTe. Хлор был основной остаточной примесью в нелегированных образцах. Предполагается, что дефект является комплексом, включающим хлор и наблюдаемые структурные дефекты CdTe.
  • P.L. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 563, 1 (2006)
  • H. Nagayoshi. Nuclear Science Symposium Conference Record, 2004 IEEE, 22-26 Oct., 7, 4411 (2004)
  • V. Consonni, N. Baier, S. Renet, A. Brambilla, G. Feuillet. Phys. Status Solidi C, 3 (4), 807 (2006)
  • V. Consonni, G. Feuillet, J.P. Barnes, F. Donatini. Phys. Rev. B, 80, 165 207 (2009)
  • B.C. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, B.C. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП, 45, 908 (2011)
  • I. Visoly-Fisher, S.R. Cohen, D. Cahen. Appl. Phys. Lett., 82, 556 (2003)
  • I. Visoly-Fisher, S.R. Cohen, K. Gartsman, A. Ruzin, D. Cahen. Adv. Functional Mater., 16, 649 (2006)
  • А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000)
  • L. Zang, G.I.F. Da Silva, J. Li, Y. Yan, T.A. Gessert, S.-H. Wei. Phys. Rev. Lett., 101, 155 501 (2008)
  • Yanfa Yan, M.M. Al-Jassim, K.M. Jones. J. Appl. Phys., 96, 320 (2004)
  • R. Triboulet, A. Aoudia, A. Lusson. J. Electron. Mater., 24 (9), 1061 (1995)
  • S.H. Song, J.F. Wang, G.M. Lalev, L. He, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 252, 102 (2003)
  • G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys. Condens. Matter., 3, 8619 (1991)
  • Е.А. Боброва, Ю.В. Клевков ФТП, 45, 894 (2011)
  • J.H. Greenberg. J. Cryst. Growth, 197, 406 (1999)
  • M.A. Berding. Phys. Rev. В 60, 8943 (1999)
  • M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi. J. Appl. Phys., 33, 2578 (1962)
  • Yanfa Yan, M.M. Al-Jassim, K.M. Jones. J. Appl. Phys., 94, 2976, (2003)
  • Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП, 37, 129 (2003)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandes, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
  • J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. В, 41, 12 035 (1990)
  • V. Bagaev, V. Krivobok, Yu. Klevkov, A. Shepel, E. Martovitsky. Phys. Status Solidi, 7, 1470 (2010)
  • V. Babentsov, V. Boiko, G.A. Schepelskii, R.B. James, J. Franc, J. Prochazka, P. Hlidek. J. Luminesc., 130, 1425 (2010)
  • V. Komin, B. Tetali, V. Viswanathan, S. Yu, D.L. Morel, C.S. Ferekides. Thin Sol. Films, 431- 432, 143 (2003)
  • L.C. Isett. J. Appl. Phys., 56, 3508 (1984)
  • M.A. Lourenco, Yip Kum Yew, K.P. Homewood, K. Durose, H. Richter, D. Bonnet. J. Appl. Phys., 82, 1423 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.