"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs
Романов В.В.1, Байдакова М.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Представлены экспериментальные результаты наращивания многокомпонентных твердых растворов InAs1-x-ySbyPx для составов 0.43<x<0.72 методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при низкой температуре осаждения (T<520oC) с использованием металлорганического источника мышьяка. Предложена модель роста эпитаксиального слоя InAsSbP, изоморфного с подложкой InAs, при заданном значении соотношения концентрации фосфора и сурьмы в твердой фазе.
  1. И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 50 (1992)
  2. Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.И. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 351 (1999)
  3. А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 37, 15 (2011)
  4. Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 20, 20 (1994)
  5. В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27, 80 (2001)
  6. L. Vegard. Zeitschrift Phys., 5, 17 (1921)
  7. E.R. Gertner, D.T. Cheung, A.M. Andrews, J.T. Longo. J. Elecrton. Mater., 6, 163 (1977)
  8. А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П.Яковлев. ЖПХ, 67, 1957 (1994)
  9. T. Fukui, Y. Horikoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)
  10. W.J. Duncan, A.S.M. Ali, E.M. Marsh, P.C. Spurdens. J. Cryst. Growth, 143, 155 (1994)
  11. K.J. Cheetham, A. Krier, I.I. Patel, F.L. Martin, J.-S. Tzeng, C.-J. Wu, H.-H. Lin. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 85405 (2011)
  12. G.B. Stringfellow. Cryst. Growth, 137, 212 (1994)
  13. S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason, P.J. Walker. J. Cryst. Growth, 97, 489 (1989)
  14. S.A. Stepanov, E.A Kondrashkina, R. Kohler, D.V. Novikov, G. Materlik, S.M. Durbin. Phys. Rev. B, 57, 4829 (1998)
  15. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  16. A. Zhylik, A. Benediktovitch, I. Feranchuk, K. Inaba, A. Mikhalychev, A. Ulyanenkov. J. Appl. Cryst., 46, 919 (2013)
  17. A. Koukitu, H. Seki. J. Cryst. Growth, 76, 233 (1986)
  18. G.B. Stringfellow. Rep. Progr. Phys., 45, 469 (1982)
  19. А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, 2331 (1990)
  20. А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, Н.А. Чарыков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 63, 976 (1990)
  21. K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement'ev, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
  22. K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky. Thin Sol. Films, 543, 74 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.