Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs
Романов В.В.1, Байдакова М.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Представлены экспериментальные результаты наращивания многокомпонентных твердых растворов InAs1-x-ySbyPx для составов 0.43<x<0.72 методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при низкой температуре осаждения (T<520oC) с использованием металлорганического источника мышьяка. Предложена модель роста эпитаксиального слоя InAsSbP, изоморфного с подложкой InAs, при заданном значении соотношения концентрации фосфора и сурьмы в твердой фазе.
- И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 50 (1992)
- Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.И. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 351 (1999)
- А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 37, 15 (2011)
- Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 20, 20 (1994)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27, 80 (2001)
- L. Vegard. Zeitschrift Phys., 5, 17 (1921)
- E.R. Gertner, D.T. Cheung, A.M. Andrews, J.T. Longo. J. Elecrton. Mater., 6, 163 (1977)
- А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П.Яковлев. ЖПХ, 67, 1957 (1994)
- T. Fukui, Y. Horikoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)
- W.J. Duncan, A.S.M. Ali, E.M. Marsh, P.C. Spurdens. J. Cryst. Growth, 143, 155 (1994)
- K.J. Cheetham, A. Krier, I.I. Patel, F.L. Martin, J.-S. Tzeng, C.-J. Wu, H.-H. Lin. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 85405 (2011)
- G.B. Stringfellow. Cryst. Growth, 137, 212 (1994)
- S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason, P.J. Walker. J. Cryst. Growth, 97, 489 (1989)
- S.A. Stepanov, E.A Kondrashkina, R. Kohler, D.V. Novikov, G. Materlik, S.M. Durbin. Phys. Rev. B, 57, 4829 (1998)
- Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
- A. Zhylik, A. Benediktovitch, I. Feranchuk, K. Inaba, A. Mikhalychev, A. Ulyanenkov. J. Appl. Cryst., 46, 919 (2013)
- A. Koukitu, H. Seki. J. Cryst. Growth, 76, 233 (1986)
- G.B. Stringfellow. Rep. Progr. Phys., 45, 469 (1982)
- А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, 2331 (1990)
- А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, Н.А. Чарыков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 63, 976 (1990)
- K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement'ev, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
- K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky. Thin Sol. Films, 543, 74 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
