"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства пленок TiO2 на кремниевых подложках
Калыгина В.М.1, Новиков В.А.1, Петрова Ю.С.1, Толбанов О.П.1, Черников Е.В.1, Цупий С.Ю.1, Яскевич Т.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Исследовано влияние материала подложки и воздействие кислородной плазмы на микрорельеф и электрические характеристики пленок TiO2, полученных ВЧ магнетронным распылением. Показано, что наиболее сплошные пленки с меньшей шероховатостью получаются при напылении их на кремниевые подложки. Изменение вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур после воздействия кислородной плазмы объясняется диффузией атомов кислорода через пленку оксида титана и появлением слоя SiО2 на границе Si--TiO2.
  1. B.S. Richards, J.E. Cotter, C.B. Honsberg, S.R. Wenham. Proc. 28th IEEE PVSC (Anchorage, Alaska, 2000)
  2. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 44, 1266 (2010)
  3. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 130 (2011)
  4. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых газовых сенсоров (Томск, НТЛ, 2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.